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1. (WO2014158538) VÉRIFICATION DE PROGRAMMATION DE CELLULE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/158538    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/017941
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 24.02.2014
CIB :
G11C 13/02 (2006.01), G11C 16/34 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
CHU, Daniel J. [US/US]; (US) (US only).
ZENG, Raymond W. [US/US]; (US) (US only).
RIVERS, Doyle [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : CHU, Daniel J.; (US).
ZENG, Raymond W.; (US).
RIVERS, Doyle; (US)
Mandataire : OSBORNE, David W.; THORPE NORTH & WESTERN LLP c/o CPA Global PO Box 52050 Minneapolis, Minnesota 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
13/827,825 14.03.2013 US
Titre (EN) CELL PROGRAMMING VERIFICATION
(FR) VÉRIFICATION DE PROGRAMMATION DE CELLULE
Abrégé : front page image
(EN)Technology for verifying cell programming for a phase change memory array is disclosed. In an example, a method may include sending a reset pulse to a phase change memory cell. The method may further include sensing a threshold voltage of the phase change memory cell in response to applying first and second verify voltages across the phase change memory cell, where the second verify voltage is lower than the first verify voltage. The method may also include determining whether the threshold voltage of the phase change memory cell was below the first or second verify voltages.
(FR)L'invention concerne une technologie de vérification de la programmation d'une cellule pour une matrice de mémoire à changement de phase. Dans un exemple, un procédé peut inclure l'envoi d'une impulsion de réinitialisation à une cellule de mémoire à changement de phase. Le procédé peut en outre inclure la détection d'une tension de seuil de la cellule de mémoire à changement de phase en réponse à l'application d'une première et d'une deuxième tensions de vérification aux bornes de la cellule de mémoire à changement de phase, la deuxième tension de vérification étant inférieure à la première tension de vérification. Le procédé peut également inclure de déterminer si la tension de seuil de la cellule de mémoire à changement de phase était inférieure à la première ou à la deuxième tension de vérification.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)