(EN) Embodiments of the present invention generally relate to a method for forming a dielectric barrier layer. The dielectric barrier layer is deposited over a substrate by a plasma enhanced deposition process. In one embodiment, a gas mixture is introduced into a processing chamber. The gas mixture includes a silicon-containing gas, a nitrogen-containing gas, a boron-containing gas, and argon (Ar) gas.
(FR) La présente invention concerne généralement un procédé de formation d'une couche barrière diélectrique. Ladite couche barrière diélectrique est déposée sur un substrat par procédé de dépôt assisté par plasma. Selon un mode de réalisation, un mélange gazeux est introduit dans une chambre de traitement. Ledit mélange gazeux comprend un gaz contenant du silicium, un gaz contenant de l'azote, un gaz contenant du bore et de l'argon à l'état gazeux (Ar).