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1. (WO2014157928) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À BASE DE NITRURE À PROTECTION EXCELLENTE CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/157928    N° de la demande internationale :    PCT/KR2014/002525
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 25.03.2014
CIB :
H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/14 (2010.01)
Déposants : ILJIN LED CO., LTD. [KR/KR]; 163 Wonsi-ro, Danwon-gu Ansan-si Gyeonggi-do 425-090 (KR)
Inventeurs : KWON, Tae-Wan; (KR).
PARK, Jung-Won; (KR).
LEE, Sung-Hak; (KR).
CHOI, Won-Jin; (KR)
Mandataire : DAE-A INTELLECTUAL PROPERTY CONSULTING; 3F, 4F, 5F, Hanyang Bldg., 123 Yeoksam-ro Gangnam-gu Seoul 135-936 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2013-0031680 25.03.2013 KR
Titre (EN) NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE WITH EXCELLENT ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À BASE DE NITRURE À PROTECTION EXCELLENTE CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES
(KO) 우수한 정전기 방전 보호 효과를 나타내는 질화물 반도체 발광소자
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a nitride based light-emitting diode with excellent electrostatic discharge protection, and more specifically the nitride based light-emitting diode consists of a p-type semiconductor layer including a first p-clad layer, a second p-clad layer, and a p-contact layer, wherein the ratio of the maximum doping concentration of the p-type dopant to the minimum doping concentration of the p-type dopant in the second p-clad layer is in a specified range.
(FR)La présente invention concerne une diode électroluminescente à base de nitrure ayant une protection excellente contre les décharges électrostatiques, et plus particulièrement la diode électroluminescente à base de nitrure consiste en une couche de semi-conducteur de type p comprenant une première couche de revêtement de type p, une seconde couche de revêtement de type p et une couche de contact de type p, le rapport de la concentration de dopage maximale du dopant de type p sur la concentration de dopage minimale du dopant de type p dans la seconde couche de revêtement de type p étant dans une plage spécifiée.
(KO)본 발명은 우수한 정전기 방전 보호 효과를 나타내는 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1 p-클래드층, 제2 p-클래드층 및 p-컨택층을 포함하는 p형 반도체층에 있어서, 제2 p-클래드층 내 p형 도펀트의 최저 도핑 농도에 대한 p형 도펀트의 최고 도핑 농도의 비율이 특정 범위를 나타내도록 형성된 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)