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1. (WO2014157772) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À LUMIÈRE AMPLIFIÉE PAR DU GRAPHÈNE ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/157772    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/005490
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 21.06.2013
CIB :
H01L 33/36 (2010.01), H01L 33/40 (2010.01)
Déposants : UNIVERSITY-INDUSTRY COOPERATION GROUP OF KYUNG HEE UNIVERSITY [KR/KR]; (Kyunghee Univ., Seocheon-dong) Kyunghee Univ. Global Campus, 1732, Deogyeongdaero, Giheung-gu Yongin-si Gyeonggi-do 446-701 (KR)
Inventeurs : CHOI, Suk Ho; (KR).
KIM, Chang Oh; (KR).
KIM, Sung; (KR)
Mandataire : KASAN IP & LAW FIRM; 7th Floor, Hanwon Building, 2423 Nambusunhwan-ro, Seocho-gu, Seoul 137-070 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2013-0034581 29.03.2013 KR
Titre (EN) LIGHT EMITTING DEVICE LIGHT-AMPLIFIED WITH GRAPHENE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À LUMIÈRE AMPLIFIÉE PAR DU GRAPHÈNE ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
(KO) 그래핀에 의하여 광증폭된 발광 소자 및 이의 제조방법
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a method for manufacturing a light-amplified optoelectronic device, on which pristine or doped graphene is transferred. Specifically, the method includes the steps of: depositing a first electrode, as a thin film, on the light emitting device; transferring pristine or doped graphene on the electrode thin film; etching the light emitting device in contact with the electrode thin film on which the transferred graphene has been transferred, thereby removing a part of the electrode thereon; spin-coating photoresist on the etched light emitting device; removing the photoresist from the spin-coated light emiting device, thereby forming an electrode thin film in a spin form and the pristine transferred to or graphene doped to the electrode thin film; and depositing metal on a second electrode.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication un dispositif optoélectronique à lumière amplifiée, sur lequel est transféré du graphène vierge ou dopé. Plus particulièrement, le procédé comprend les étapes consistant à: déposer une première électrode, sous la forme d'un film mince, sur le dispositif électroluminescent; transférer du graphène vierge ou dopé sur le film mince d'électrode; attaquer le dispositif électroluminescent en contact avec le film mince d'électrode sur lequel a été transféré le graphène, éliminant ainsi une partie de l'électrode présente sur celui-ci; appliquer par dépôt à la tournette une réserve photosensible sur le dispositif électroluminescent gravé; éliminer la réserve photosensible du dispositif électroluminescent revêtu par dépôt à la tournette, formant ainsi un film mince d'électrode de forme de révolution et le graphène vierge ou dopé transféré vers le film mince d'électrode; et déposer un métal sur une deuxième électrode.
(KO)상기 프리스틴 또는 도핑된 그래핀이 전사된 광증폭 광전자소자의 제조 방법을 제공하는 것이다. 구체적으로, 발광소자 상에 제 1 전극을 박막으로 증착시키는 단계, 상기 전극 박막 상에 프리스틴 또는 도핑된 그래핀을 전사시키는 단계, 상기 그래핀이 전사된 전극 박막이 접촉된 발광 소자를 에칭시켜 상부 전극의 일부를 제거하는 단계, 상기 에칭된 발광 소자에 포토레지스트, 스핀 코팅하는 단계, 상기 포토레지스트, 스핀 코팅된 발광 소자에 포토레지스트를 제거하여 스핀형태의 전극 박막 및 전극 박막에 전사된 프리스틴 또는 도핑된 그래핀을 형성시키는 단계 및, 제 2 전극 상에 금속을 침착시키는 단계를 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)