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1. (WO2014157679) MATÉRIAU DE FORMATION D'UNE COUCHE ISOLANTE ET FORMATION D'UNE COUCHE ISOLANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/157679    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/059318
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 28.03.2014
CIB :
C03C 8/14 (2006.01), C03C 8/16 (2006.01)
Déposants : NIHON YAMAMURA GLASS CO., LTD. [JP/JP]; 15-1, Nishimukojimacho, Amagasaki-shi, Hyogo 6608580 (JP)
Inventeurs : MAEDA, Kozo; (JP).
MAYUMI, Yoshitaka; (JP).
OKADA, Hiroyuki; (JP)
Mandataire : MUROTA, Rikio; 8F., Sankyoseiko-Sukai Bldg., 101, Edomachi, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6500033 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-072883 29.03.2013 JP
Titre (EN) INSULATION LAYER FORMATION MATERIAL, INSULATION LAYER FORMATION PASTE
(FR) MATÉRIAU DE FORMATION D'UNE COUCHE ISOLANTE ET FORMATION D'UNE COUCHE ISOLANTE
(JA) 絶縁層形成用材料、絶縁層形成用ペースト
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide an insulation layer formation material and an insulation layer formation paste capable of forming an insulation layer on a metal substrate without the filler and glass reacting or warping occurring, even when repeatedly fired at 850°C or higher. The insulation layer formation material containing a lead-free glass composition and an α-quartz filler contains 17.0-40.0 wt% of the α-quartz filler and 60.0-83.0 wt% of the lead-free glass composition, the α-quartz filler having an average grain size (D50) of 1.0-3.5 µm and a specific surface area of 2.5-6.5 m2/g, and the lead-free glass composition containing no B2O3, and comprising a composition of, by mol%, 40.0-60.0% SiO2, 0.5-10.0% Al2O3, 20.0-45.0% MgO + CaO + SrO + BaO, 5.0-23.0% ZnO, and 0-10.0% Li2O + Na2O + K2O.
(FR)La présente invention concerne un matériau de formation d'une couche isolante et une pâte de formation d'une couche isolante capable de former une couche isolante sur un substrat métallique sans que la charge et le verre ne réagissent ni ne gauchissent, même lors de cuissons répétées à 850 °C ou plus. Le matériau de formation d'une couche isolante contenant une composition de verre sans plomb et une charge de quartz α contient 17,0-40,0 % pds de la charge de quartz α et 60,0-83,0 % pds de la composition de verre sans plomb, la charge de quartz α ayant une taille moyenne de grain (D50) de 1,0-3,5 µm et une surface spécifique de 2,5-6,5 m2/g, et la composition de verre sans plomb ne contenant pas de B2O3, et comprenant une composition de, en % mol, 40,0-60,0 % de SiO2, 0,5-10,0 % d'Al2O3, 20,0-45,0 % de MgO + CaO + SrO + BaO, 5,0-23,0 % de ZnO et 0-10,0 % de Li2O + Na2O + K2O.
(JA) 850℃以上で繰り返し焼成が行われても、フィラーとガラスが反応することなく、また反りが生じることなく金属基材上に絶縁層を形成することができる絶縁層形成用材料、絶縁層形成用ペーストの提供を課題とする。 無鉛ガラス組成物とα-石英フィラーを含有する絶縁層形成用材料であって、α-石英フィラーを17.0~40.0重量%、無鉛ガラス組成物を60.0~83.0重量%含有し、前記α-石英フィラーは、その平均粒径(D50)が1.0~3.5μmで、比表面積が2.5~6.5m/gであり、前記無鉛ガラス組成物は、Bを含まず、且つmol%で、SiO:40.0~60.0%、Al:0.5~10.0%、MgO+CaO+SrO+BaO:20.0~45.0%、ZnO:5.0~23.0%、LiO+NaO+KO:0~10.0%の組成からなる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)