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1. (WO2014157187) CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE EN COBALT ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/157187    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/058250
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 25.03.2014
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.09.2014    
CIB :
C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP)
Inventeurs : HARADA Kentaro; (JP).
TAKAHASHI Kazushige; (JP)
Mandataire : OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office, HATSUMEIKAIKAN 5F, 9-14, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-066811 27.03.2013 JP
Titre (EN) COBALT SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE EN COBALT ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) コバルトスパッタリングターゲット及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a cobalt sputtering target that is characterized by having a purity of 99.99% or more, by the surface magnetic permeability in the sputtering surface thereof being 5-10, and by the standard deviation of surface magnetic permeability in the sputtering surface thereof being within 3. The cobalt sputtering target and production method therefor make it possible to improve the uniformity of a film by reducing magnetic permeability in a direction that is parallel to the sputtering surface, increasing magnetic permeability in a direction that is perpendicular to the sputtering surface, improving sputtering efficiency, and minimizing variation in the surface magnetic permeability in the sputtering surface.
(FR)L'invention concerne une cible de pulvérisation cathodique en cobalt qui est caractérisée en ce qu'elle a une pureté de 99,99 % ou plus, en ce que la perméabilité magnétique de surface dans la cible de pulvérisation cathodique de celle-ci est 5-10, et en ce que l'écart-type de la perméabilité magnétique de surface dans la surface de pulvérisation cathodique de celle-ci est 3. La cible de pulvérisation cathodique en cobalt et son procédé de production rendent possible d'améliorer l'uniformité d'un film par réduction de la perméabilité magnétique dans une direction qui est parallèle à la surface de pulvérisation cathodique, par augmentation de la perméabilité magnétique dans une direction qui est perpendiculaire à la surface de pulvérisation cathodique, d'amélioration du rendement de pulvérisation cathodique, et de minimisation de la variation de la perméabilité de surface magnétique dans la surface de pulvérisation cathodique.
(JA) 純度が99.99%以上であり、スパッタ面内における面内透磁率が5以上10以下であり、スパッタ面内における面内透磁率の標準偏差が3以内であることを特徴とするコバルトスパッタリングターゲット。スパッタ面と平行な方向の透磁率を低下させ、スパッタ面に対して垂直方向の透磁率を大きくし、スパッタ効率を向上させるとともに、スパッタ面内における面内透磁率のばらつきを抑制することで、膜のユニフォーミティを向上することのできるコバルトスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)