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1. (WO2014157160) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE PRODUCTION D'OXYDE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/157160    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/058216
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 25.03.2014
CIB :
C01B 33/113 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : KAWADA Nobuo; (JP)
Mandataire : KOJIMA Takashi; GINZA OHTSUKA Bldg. 2F, 16-12, Ginza 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-073020 29.03.2013 JP
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING SILICON OXIDE
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE PRODUCTION D'OXYDE DE SILICIUM
(JA) 酸化珪素の製造装置及び製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The invention pertains to an apparatus for producing silicon oxide, provided with: a reaction chamber for generating silicon oxide gas by reacting a mixed raw material powder containing silicon dioxide powder; a raw material supply mechanism for supplying the mixed raw material powder to the inside of this reaction chamber; a belt-shaped substrate for depositing solid silicon oxide from the silicon oxide gas; a deposition chamber for depositing solid silicon oxide on the substrate; a transport pipe for transporting the silicon oxide gas from the reaction chamber to the deposition chamber; a recovery chamber connected to the deposition chamber; a rotating mechanism placed to allow the belt-shaped substrate to rotate between the deposition chamber and the recovery chamber, for rotating the belt-shaped substrate between the deposition chamber and the recovery chamber; and a load lock chamber connected to the recovery chamber via a gate valve. The invention makes it possible to efficiently and stably produce high-purity silicon oxide continuously over an extended period of time.
(FR)L'invention concerne un appareil de production d'oxyde de silicium, doté de : une chambre de réaction pour produire de l'oxyde de silicium gazeux par réaction d'une poudre de matière première mélangée contenant une poudre de dioxyde de silicium ; un mécanisme d'introduction de matière première pour introduire la poudre de matière première mélangée dans l'intérieur de cette chambre de réaction ; un substrat en forme de ceinture pour déposer l'oxyde de silicium solide à partir de l'oxyde de silicium gazeux ; une chambre de dépôt pour déposer l'oxyde de silicium solide sur le substrat ; un tuyau de transport pour transporter l'oxyde de silicium gazeux à partir de la chambre de réaction dans la chambre de dépôt ; et une chambre de récupération connectée à la chambre de dépôt ; un mécanisme rotatif placé pour permettre au substrat en forme de ceinture de tourner entre la chambre de dépôt et la chambre de récupération, pour mettre en rotation le substrat en forme de ceinture entre la chambre de dépôt et la chambre de récupération ; et une chambre de verrouillage de charge connectée à la chambre de récupération par l'intermédiaire d'un robinet vanne. L'invention rend possible de produire de façon efficace et stable de l'oxyde de silicium de pureté élevée de façon continue sur une période prolongée de temps.
(JA) 二酸化珪素粉末を含む混合原料粉末を反応させて酸化珪素ガスを生成させる反応室と、この反応室内に上記混合原料粉末を供給する原料供給機構と、上記酸化珪素ガスから酸化珪素固体を析出させるベルト状基体と、上記基体に酸化珪素固体を析出させる析出室と、上記酸化珪素ガスを上記反応室から上記析出室に搬送する搬送管と、析出室に連結された回収室と、上記ベルト状基体は析出室と回収室間で回転可能に配置され、析出室と回収室間で上記ベルト状基体を回転させる回転機構と、回収室にゲート弁を介して連結されたロードロック室とを具備する酸化珪素の製造装置に関するものであり、本発明によれば、効率的かつ長期間安定的に、高純度の酸化珪素を連続的に製造することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)