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1. (WO2014157124) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/157124    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/058154
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 18.03.2014
CIB :
H01L 21/677 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : HIROKI, Tsutomu; (JP)
Mandataire : BECCHAKU, Shigehisa; Lusis Bldg. 2nd Floor,16-1, Higashi Shinbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050021 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-066105 27.03.2013 JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置
Abrégé : front page image
(EN)The objective of the present invention is to provide a substrate processing device capable of increasing oxygen concentration in the vicinity of an outer periphery of a substrate transport unit rapidly to the oxygen concentration of air while retaining the interior of the substrate transport unit at a nitrogen atmosphere. In a substrate processing device (10) which applies plasma processing to a semiconductor wafer, the interior of a loader module (13) upon which is disposed a second transport device (20), which transports a wafer (W) from/to a FOUP placed on a FOUP platform (21), retains a positive-pressure nitrogen atmosphere with respect to the outside. A blower device (40) is disposed on an exterior upper side surface of the loader module (13), and by generating flow of air along the exterior side surface of the loader module (13) by way of the blower device (40), nitrogen gas leaking from the loader module (13) is diffused and caused to undergo convection, thereby rapidly increasing oxygen concentration in the vicinity of an outer periphery of the loader module (13) to the oxygen concentration of air.
(FR)L'objectif de la présente invention est de fournir un dispositif de traitement de substrat apte à augmenter une concentration en oxygène au voisinage d'une périphérie externe d'une unité de transport de substrat de manière rapide jusqu'à la concentration en oxygène de l'air tout en maintenant l'intérieur de l'unité de transport de substrat dans une atmosphère d'azote. Dans un dispositif de traitement de substrat (10) qui applique un traitement par plasma sur une tranche de semi-conducteur, l'intérieur d'un module de chargeur (13) sur lequel est disposé un second dispositif de transport (20), qui transporte une tranche (W) depuis/vers une nacelle unifiée à ouverture vers l'avant (FOUP) placée sur une plateforme de FOUP (21), maintient une atmosphère d'azote à pression positive par rapport à l'extérieur. Un dispositif souffleur (40) est disposé sur une surface côté supérieur extérieur du module de chargeur (13), et par génération d'un écoulement d'air le long de la surface côté extérieur du module de chargeur (13) à l'aide du dispositif souffleur (40), de l'azote gazeux qui fuit du module de chargeur (13) est diffusé et amené à subir une convection, ce qui augmente rapidement la concentration en oxygène au voisinage d'une périphérie externe du module de chargeur (13) jusqu'à la concentration en oxygène de l'air.
(JA) 基板搬送部の内部を窒素雰囲気に保持しながら、基板搬送部の外周近傍における酸素濃度を速やかに空気の酸素濃度へ高めることができる基板処理装置を提供する。半導体ウエハにプラズマ処理を施す基板処理装置(10)において、フープ載置台(21)に載置されたフープとの間でウエハ(W)を搬送する第2の搬送装置(20)が配置されるローダーモジュール(13)の内部を、外部に対して陽圧の窒素雰囲気に保持する。ローダーモジュール(13)の外側上部側面に送風装置(40)を配置し、送風装置(40)によりローダーモジュール(13)の外側側面に沿って空気の流れを生じさせることにより、ローダーモジュール(13)から漏れ出す窒素ガスを拡散、対流させることで、ローダーモジュール(13)の外周近傍における酸素濃度を速やかに空気の酸素濃度へ高める。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)