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1. (WO2014157123) APPAREIL DE TEST DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ D'AJUSTEMENT DE TEMPÉRATURE DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/157123    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/058153
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 18.03.2014
CIB :
H01L 21/66 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : AKAIKE, Yutaka; (JP).
KOBAYASHI, Dai; (JP)
Mandataire : BECCHAKU, Shigehisa; Matsuoka Tamuracho Bldg. 7th Floor, 22-10, Shinbashi 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-062141 25.03.2013 JP
2013-201289 27.09.2013 JP
Titre (EN) SUBSTRATE TESTING APPARATUS AND SUBSTRATE TEMPERATURE ADJUSTMENT METHOD
(FR) APPAREIL DE TEST DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ D'AJUSTEMENT DE TEMPÉRATURE DE SUBSTRAT
(JA) 基板検査装置及び基板温度調整方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a substrate testing apparatus capable of adjusting a substrate to a desired temperature. A prober (10) is provided with: a stage (11), upon which a wafer (W) on which a semiconductor device has been formed, is placed; a testing head (14) which tests electrical properties of the semiconductor device on the placed wafer (W); a temperature adjustment system (25) which adjusts the temperature of the stage (11); and a temperature adjustment flow path (28) which passes through the stage (11). The temperature adjustment system (25) has: a high-temperature chiller (26) which supplies a high-temperature medium to the temperature adjustment flow path (28); a low-temperature chiller (27) which supplies a low-temperature medium to the temperature adjustment flow path (28); and a mixing valve unit (29) which mixes the high-temperature medium and the low-temperature medium which are supplied to the temperature adjustment flow path (28).
(FR)L'invention concerne un appareil de test de substrat apte à ajuster un substrat à une température désirée. Un sondeur (10) comprend : une platine (11), sur laquelle une tranche (W) sur laquelle un dispositif semi-conducteur a été formé, est placée ; une tête de test (14) qui teste des propriétés électriques du dispositif semi-conducteur sur la tranche placée (W) ; un système d'ajustement de température (25) qui ajuste la température de la platine (11) ; et un trajet d'écoulement d'ajustement de température (28) qui passe à travers la platine (11). Le système d'ajustement de température (25) comprend : un réfrigérant à haute température (26) qui fournit un milieu à haute température dans le trajet d'écoulement d'ajustement de température (28) ; un réfrigérant à basse température (27) qui fournit un milieu à basse température dans le trajet d'écoulement d'ajustement de température (28) ; et une unité de vanne de mélange (29) qui mélange le milieu à haute température et le milieu à basse température qui sont fournis dans le trajet d'écoulement d'ajustement de température (28).
(JA) 基板を所望の温度に調整することができる基板検査装置を提供する。プローバ10は、半導体デバイスが形成されたウエハWを載置するステージ11と、載置されたウエハWの半導体デバイスの電気的特性を検査するテストヘッド14と、ステージ11の温度を調整する温度調整システム25と、ステージ11を通過する調温流路28とを備え、温度調整システム25は、高温媒体を調温流路28へ供給する高温チラー26と、低温媒体を調温流路28へ供給する低温チラー27と、調温流路28へ供給される高温媒体及び低温媒体を混合する混合バルブユニット29とを有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)