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1. (WO2014156918) CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE DE NIOBIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/156918    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/057659
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 20.03.2014
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.06.2014    
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Déposants : JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP)
Inventeurs : HARADA Kentaro; (JP).
OHASHI Kazumasa; (JP)
Mandataire : OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office, HATSUMEIKAIKAN 5F, 9-14, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-066489 27.03.2013 JP
Titre (EN) NIOBIUM SPUTTERING TARGET
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE DE NIOBIUM
(JA) ニオブスパッタリングターゲット
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a niobium sputtering target that is characterized by containing 5-100 wt ppm of tungsten, by having a purity of 99.995% excluding tungsten, tantalum, and a gas component, and by the average crystal grain size being 150 µm or less. The present invention addresses the problem of providing a niobium sputtering target that has a uniform microstructure, in which plasma is stable, and that makes it possible to improve the uniformity of film thickness.
(FR)L'invention concerne une cible de pulvérisation cathodique de niobium qui est caractérisée en ce qu'elle contient 5-100 ppm en poids du tungstène, en ce qu'elle a une pureté de 99,995 % à l'exception du tungstène, du tantale et d'un composant gazeux et en ce que la dimension moyenne de grain cristallin est 150 µm ou moins. La présente invention s'attaque au problème consistant à proposer une cible de pulvérisation cathodique de niobium qui a une microstructure uniforme, dans laquelle un plasma est stable et qui rend possible d'améliorer l'uniformité d'épaisseur de film.
(JA) 5wtppm以上100wtppm以下のタングステンを含有し、タングステン、タンタル及びガス成分を除く純度が99.995%以上であり、平均結晶粒径が150μm以下であることを特徴とするニオブスパッタリングターゲット。均一微細な組織を備え、プラズマが安定であり、膜厚の均一性(ユニフォミティ)を向上できるニオブスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)