WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014156823) CAPTEUR DE FORCE DE CONTACT ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/156823    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/057304
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 18.03.2014
CIB :
G01L 5/00 (2006.01), G01L 1/18 (2006.01), G01L 5/16 (2006.01)
Déposants : SEMITEC CORPORATION [JP/JP]; 7-7, Kinshi1-Chome, Sumida-ku Tokyo 1308512 (JP)
Inventeurs : MATSUDATE Tadashi; (JP).
INAMURA Shuji; (JP)
Mandataire : IZUMI Junichi; IZUMI INTERNATIONAL PATENT OFFICE, 6-C TAKUEI Yokohama-nishiguchi Bldg. 30-5, Tsuruyacho 3-chome Kanagawa-ku, Yokohama-shi Kanagawa 2210835 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-067294 27.03.2013 JP
Titre (EN) CONTACT FORCE SENSOR AND PRODUCTION METHOD FOR SAME
(FR) CAPTEUR DE FORCE DE CONTACT ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 接触力センサ及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a contact force sensor of high sensitivity and high accuracy, and a production method for the contact force sensor. This contact force sensor (5) is fabricated by machining of a silicon semiconductor material. The contact force sensor 5 is provided with a sensor configuration (6) having a base part (611), and a contact force transmission part (612) formed in a direction orthogonal to this base part (611). A stress-electricity conversion element (7) for converting displacement of the contact force transmission part (612) to an electrical signal, formed in the base part (611) of the sensor configuration (6), is also provided.
(FR)L'invention concerne un capteur de force de contact de grande sensibilité et de grande précision, et un procédé de production du capteur de force de contact. Ce capteur de force de contact (5) est fabriqué en usinant un matériau semi-conducteur en silicium. Le capteur de force de contact (5) est doté d'une configuration de capteur (6) ayant une pièce de base (611), et une pièce de transmission de force de contact (612) formée dans une direction orthogonale à cette pièce de base (611). L'invention concerne également un élément de conversion contrainte-électricité (7) destiné à convertir le déplacement de la pièce de transmission de force de contact (612) en un signal électrique, formé dans la pièce de base (611) de la configuration de capteur (6).
(JA) 感度及び精度が高い接触力センサ及びその接触力センサの製造方法を提供する。 接触力センサ5は、シリコン半導体材料を加工することによって作製される。接触力センサ5は、ベース部611と、このベース部611と直交する方向に形成された接触力伝達部612とを有するセンサ構成体6を備えている。センサ構成体6におけるベース部611に形成され、前記接触力伝達部612の変位を電気信号に変換する応力電気変換素子7を備えている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)