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1. (WO2014156780) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UN MONOCRISTAL DE SAPHIR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/156780    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/057174
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 17.03.2014
CIB :
C30B 29/20 (2006.01), C30B 15/26 (2006.01)
Déposants : TOKUYAMA CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Mikage-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7458648 (JP)
Inventeurs : MATSUO, Kentaro; (JP).
INOUE, Yoshifumi; (JP).
KISHIMOTO, Yuji; (JP)
Mandataire : YAMAMOTO, Noriaki; c/o TOKYO CENTRAL PATENT FIRM, 3rd Floor, Oak Building Kyobashi, 16-10, Kyobashi 1-chome, Chuou-ku, Tokyo 1040031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-073682 29.03.2013 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UN MONOCRISTAL DE SAPHIR
(JA) サファイア単結晶の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for producing a sapphire single crystal by a melt growth method, including: (i) a step for observing, by an optical means, the interface between a raw material melt and a sapphire single crystal during growth and thereby obtaining image data; (ii) a step for analyzing the image data and thereby obtaining a calculated value for the single crystal diameter; and (iii) a step for growing the sapphire single crystal while controlling the single crystal diameter on the basis of the calculated value, (A) step (i) including a step for removing at least some of light corresponding to wavelengths exceeding 620 nm from the light incident on the optical means, or (B) step (ii) including a step for removing at least some of the component contributed by light corresponding to wavelengths exceeding 620 nm from the brightness information in the image data and thereby generating secondary image data, and a step for analyzing the secondary image data and thereby obtaining the calculated value for the single crystal diameter.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé permettant de produire un monocristal de saphir au moyen d'un procédé de croissance par fusion, ledit procédé de production d'un monocristal de saphir comprenant : (i) une étape consistant à observer, par un moyen optique, l'interface entre une masse fondue de matière première et un monocristal de saphir pendant la croissance et à observer, de ce fait, des données d'image ; (ii) une étape consistant à analyser les données d'image et à obtenir, de ce fait, une valeur calculée pour le diamètre du monocristal ; et (iii) une étape consistant à faire croître le monocristal de saphir tout en régulant le diamètre du monocristal sur la base de la valeur calculée, (A) l'étape (i) comprenant une étape consistant à retirer au moins une partie de la lumière correspondant à des longueurs d'onde supérieures à 620 nm de la lumière incidente sur le moyen optique, ou (B) l'étape (ii) comprenant une étape consistant à retirer au moins une partie du composant donné par la lumière correspondant à des longueurs d'onde supérieures à 620 nm des informations de luminosité présentes dans les données d'image et, de ce fait, à générer des données d'image secondaires, et une étape consistant à analyser les données d'image secondaires et, de ce fait, à obtenir la valeur calculée pour le diamètre du monocristal.
(JA) (i)成長中のサファイア単結晶と原料溶融液との界面を光学的手段によって観察することにより画像データを得る工程と;(ii)該画像データを解析することにより、単結晶径の計算値を得る工程と;(iii)該計算値に基づいて単結晶径を制御しながら、サファイア単結晶を成長させる工程とを含み、(A)工程(i)が、光学的手段に入射する光から波長620nm超の光の少なくとも一部を除去する工程を含むか、又は、(B)工程(ii)が、画像データの輝度情報から波長620nm超の光が寄与する成分の少なくとも一部を取り除くことにより二次画像データを生成する工程と、該二次画像データを解析することにより単結晶径の計算値を得る工程とを含む、融液成長法によるサファイア単結晶の製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)