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1. (WO2014156755) DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET PROGRAMME DE FORMATION DE FILM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/156755    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/057089
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 17.03.2014
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.01.2015    
CIB :
C23C 16/511 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : BROTHER KOGYO KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 15-1, Naeshiro-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678561 (JP).
NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY [JP/JP]; 1, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya-shi, Aichi 4648601 (JP)
Inventeurs : SHINODA, Kentaro; (JP).
TAKI, Kazunari; (JP).
KANADA, Hideki; (JP).
KOUSAKA, Hiroyuki; (JP).
TAKAOKA, Yasuyuki; (JP)
Mandataire : NEXT INTERNATIONAL; 7th Floor, Daiei Building, 11-20, Nishiki 1-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-069711 28.03.2013 JP
Titre (EN) FILM-FORMING DEVICE, FILM-FORMING METHOD AND FILM-FORMING PROGRAM
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET PROGRAMME DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜装置、成膜方法及び成膜プログラム
Abrégé : front page image
(EN)A film-forming device equipped with: a microwave supply unit for supplying a microwave pulse in order to generate plasma along a treatment surface of a material to be treated which is conductive; a negative-voltage imparting unit for imparting negative bias voltage to the material to be treated so as to expand a sheath layer along the treatment surface of the material to be treated; a microwave supply port for transmitting the microwave pulse supplied by the microwave supply unit to the expanded sheath layer; and a control unit for controlling the microwave supply unit and the negative-voltage imparting unit. Therein, the control unit controls the microwave supply unit so as to change the duty ratio, which is the ratio of the supply interval of a microwave (1) pulse to the period of the microwave pulse supplied during film formation, and the duty ratio includes a first duty ratio and a second duty ratio which differs from the first duty ratio.
(FR)L'invention concerne un dispositif de formation de film équipé : d'une unité de fourniture de micro-ondes destinée à fournir une impulsion de micro-ondes afin de générer un plasma le long d'une surface de traitement d'un matériau à traiter, lequel est conducteur ; d'une unité de communication de tension négative destinée à communiquer une tension de polarisation négative au matériau à traiter de façon à dilater une couche de gaine le long de la surface de traitement du matériau à traiter ; d'un orifice de fourniture de micro-ondes destiné à transmettre l'impulsion de micro-ondes fournie par l'unité de fourniture de micro-ondes à la couche de gaine dilatée ; et d'une unité de commande destinée à commander l'unité de fourniture de micro-ondes et l'unité de communication à tension négative. L'unité de commande commande l'unité de fourniture de micro-ondes de façon à changer le rapport de cycle, qui est le rapport entre l'intervalle de fourniture d'une impulsion à micro-ondes (1) sur la période de l'impulsion de micro-ondes fournie pendant la formation de film, et le rapport de cycle inclut un premier rapport de cycle et un second rapport de cycle qui diffère du premier rapport de cycle.
(JA) 導電性を有する被加工材料の処理表面に沿ってプラズマを生成させるためのマイクロ波パルスを供給するマイクロ波供給部と、被加工材料の処理表面に沿うシース層を拡大させる負のバイアス電圧を被加工材料に印加する負電圧印加部と、マイクロ波供給部から供給されるマイクロ波パルスを拡大されたシース層へ伝搬させるマイクロ波供給口と、マイクロ波供給部と負電圧印加部とを制御する制御部と、を備え、制御部は、成膜中に供給されるマイクロ波パルスの周期に対するマイクロ波1パルスの供給時間の比率であるデューティ比が変化するようにマイクロ波供給部を制御し、デューティ比は、第1デューティ比と第1デューティ比と異なる第2デューティ比とを含んでいる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)