Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2014156657) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE

Pub. No.:    WO/2014/156657    International Application No.:    PCT/JP2014/056522
Publication Date: 2 oct. 2014 International Filing Date: 12 mars 2014
IPC: H01L 27/14
H01L 27/146
Applicants: SONY CORPORATION
ソニー株式会社
Inventors: MASUDA Yoshiaki
桝田 佳明
WATANABE Kazufumi
渡辺 一史
MIZUTA Kyohei
水田 恭平
INOUE Keishi
井上 啓司
UCHIDA Hirohisa
内田 博久
Title: DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Abstract:
La présente technologie concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs qui permet de réduire une irrégularité dans l'application d'un matériau organique, un procédé de fabrication du dispositif d'imagerie à semi-conducteurs, et un dispositif électronique. Le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs comprend une zone de pixels efficaces dans laquelle des pixels efficaces sont agencés sur un substrat, une zone de câblage autour de la zone de pixels efficaces dans laquelle une électrode ou un câblage est disposé, une zone périphérique qui est plus à l'extérieur que la zone de câblage, et un film qui est formé sur le substrat. Concernant le film, la hauteur de section transversale de la zone de pixels efficaces est inférieure à la hauteur de section transversale de la zone de câblage, et la hauteur de section transversale de la zone périphérique et au moins une partie du côté zone de câblage d'une zone intermédiaire qui est prise en sandwich entre la zone de pixels efficaces et la zone de câblage sont configurées pour avoir une hauteur qui est entre la hauteur de section transversale de la zone de pixels efficaces et la hauteur de section transversale de la zone de câblage. La présente technologie peut être appliquée, par exemple, à un capteur d'image CMOS rétroéclairé.