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1. (WO2014156497) CIBLE COMPRIMÉE FRITTÉE EN MGO-TIO ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/156497    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/055346
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 04.03.2014
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.07.2014    
CIB :
C04B 35/04 (2006.01), C04B 35/46 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), G11B 5/65 (2006.01), G11B 5/82 (2006.01), G11B 5/84 (2006.01), G11B 5/851 (2006.01)
Déposants : JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP)
Inventeurs : TAKAMI Hideo; (JP).
NAKAMURA Yuichiro; (JP).
ARAKAWA Atsutoshi; (JP).
OGINO Shin-ichi; (JP)
Mandataire : OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office, HATSUMEIKAIKAN 5F, 9-14, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-073239 29.03.2013 JP
Titre (EN) MGO-TIO SINTERED COMPACT TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CIBLE COMPRIMÉE FRITTÉE EN MGO-TIO ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) MgO-TiO焼結体ターゲット及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A MgO-TiO sintered compact comprising 25 to 90 mol% of TiO, with the remainder made up by MgO and unavoidable impurities. The present invention addresses the problem of providing: a highly dense target which has a high film deposition speed and can be subjected to direct-current (DC) sputtering by which particles are formed in a reduced amount; and a method for producing the target.
(FR)L'invention porte sur un comprimé fritté en MgO-TiO comprenant 25 à 90 % en moles de TiO, le reste étant constitué de MgO et d'impuretés inévitables. La présente invention résout le problème consistant à fournir une cible haute densité ayant une vitesse élevée de dépôt de film et pouvant être soumise à une pulvérisation cathodique en courant continu, grâce à laquelle des particules sont formées en une quantité réduite; et un procédé de production de la cible.
(JA) TiOを25~90mol%含有し、残部がMgO及び不可避的不純物からなるMgO-TiO焼結体。本発明は、成膜速度が速く、パーティクルの発生が少ない直流(DC)スパッタリングが可能な高密度のターゲット及びその製造方法を提供することを課題とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)