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1. (WO2014156234) CIBLE DE PULVÉRISATION EN OXYDE D'ÉTAIN ET D'INDIUM (ITO) ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER CETTE DERNIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/156234    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/050912
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 20.01.2014
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.05.2014    
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), C04B 35/00 (2006.01)
Déposants : JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP)
Inventeurs : KURIHARA Toshiya; (JP).
KAKENO Takashi; (JP)
Mandataire : OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office, HATSUMEIKAIKAN 5F, 9-14, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-071342 29.03.2013 JP
Titre (EN) ITO SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION EN OXYDE D'ÉTAIN ET D'INDIUM (ITO) ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER CETTE DERNIÈRE
(JA) ITOスパッタリングターゲット及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is a sintered compact ITO sputtering target comprising indium (In), tin (Sn), oxygen (O), and unavoidable impurities, the content (atomic composition ratio: at.%) of tin being 0.3 to 14.5 at.%, wherein the ITO sputtering target is characterized in that the bulk resistivity is 0.1 mΩ∙cm to 1.4 mΩ∙cm, and the difference between the bulk resistivity of the thickness (t) when the target thickness is (t) and the bulk resistivity at any spot in the plate thickness direction is 20% or less. Variation in oxygen deficiency in the thickness direction of the ITO sputtering target is reduced and the difference in bulk resistivity between the inside and the outer surface of the target is 20% or less, whereby changes in membrane properties accompanying the progress of the sputtering are reduced and the quality of film formation is improved and reliability can be assured. This ITO sputtering target is useful for ITO film formation.
(FR)La présente invention se rapporte à une cible de pulvérisation en oxyde d'étain et d'indium (ITO pour Indium, Tin, Oxide) compacte et frittée qui comprend de l'indium (In), de l'étain (Sn), de l'oxygène (O) ainsi que des impuretés inévitables, la teneur (le rapport de composition atomique : en % atomique) en étain étant compris entre 0,3 et 14,5 % atomique, la cible de pulvérisation ITO étant caractérisée en ce que la résistivité volumique est comprise entre 0,1 mΩ∙cm et 1,4 mΩ∙cm, et la différence entre la résistivité volumique de l'épaisseur (t) lorsque l'épaisseur cible est (t), et la résistivité volumique à n'importe quel point dans le sens de l'épaisseur de la plaque est égale ou inférieure à 20 %. La variation de l'insuffisance en oxygène dans le sens de l'épaisseur de la cible de pulvérisation ITO est réduite et la différence de la résistivité volumique entre la partie intérieure et la surface externe de la cible est égale ou inférieure à 20 % de telle sorte que les changements dans les propriétés de la membrane qui accompagnent le déroulement de la pulvérisation soient réduits et que la qualité de la formation du film soit améliorée et que la fiabilité puisse être assurée. Cette cible de pulvérisation ITO est utile pour réaliser une formation de film ITO.
(JA)インジウム(In)、錫(Sn)、酸素(O)、不可避的不純物からなる焼結体であって、錫(Sn)の含有量が(原子組成比:at.%)が0.3以上14.5at.%以下である焼結体ITOスパッタリングターゲットであって、バルク抵抗率が0.1mΩ・cm~1.4mΩ・cmであり、ターゲットの厚さをtとした場合、厚さtのバルク抵抗率と板厚方向の任意の地点でのバルク抵抗率について、差異が20%以下であることを特徴とするITOスパッタリングターゲット。ITOスパッタリングターゲットの厚み方向の酸素欠損の変動を少なくし、ターゲット表面と内部のバルク抵抗率の差異が20%以下とすることにより、スパッタリングが進行することに伴う膜特性の変化を少なくし、成膜の品質の向上と信頼性を確保することができる。本発明のITOスパッタリングターゲットは特にITO膜形成に有用である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)