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1. (WO2014155969) UNITÉ DE CAPTURE D'IMAGE ET SYSTÈME D'AFFICHAGE DE CAPTURE D'IMAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/155969    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/001047
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 27.02.2014
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventeurs : YAMADA, Yasuhiro; (JP)
Mandataire : TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 3F, Sawada Building 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-063729 26.03.2013 JP
2013-148273 17.07.2013 JP
Titre (EN) IMAGE PICKUP UNIT AND IMAGE PICKUP DISPLAY SYSTEM
(FR) UNITÉ DE CAPTURE D'IMAGE ET SYSTÈME D'AFFICHAGE DE CAPTURE D'IMAGE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device including a substrate, at least one gate electrode, at least two silicon oxide layers comprising a first silicon oxide layer and a second silicon oxide layer, wherein the first silicon oxide layer is nearer to the substrate than the second silicon oxide layer, and wherein a thickness of the first silicon oxide layer is greater than or equal to a thickness of the second silicon oxide layer, and a semiconductor layer disposed between at least a portion of the first silicon oxide layer and at least a portion of the second silicon oxide layer. Also, an image pick-up device and a radiation imaging device including the semiconductor device.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant un substrat, au moins une électrode de grille, au moins deux couches d'oxyde de silicium comprenant une première couche d'oxyde de silicium et une seconde couche d'oxyde de silicium, la première couche d'oxyde de silicium étant plus proche du substrat que la seconde couche d'oxyde de silicium, et une épaisseur de la première couche d'oxyde de silicium étant supérieure ou égale à une épaisseur de la seconde couche d'oxyde de silicium, et une couche semi-conductrice disposée entre au moins une partie de la première couche d'oxyde de silicium et au moins une partie de la seconde couche d'oxyde de silicium. L'invention concerne aussi un dispositif de capture d'image et un dispositif d'imagerie à rayonnement comprenant le dispositif semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)