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1. (WO2014155888) DISPOSITIF DE CAPTEUR DE MAGNÉTISME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/155888    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/084916
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 26.12.2013
CIB :
G01D 5/245 (2006.01)
Déposants : NIDEC SANKYO CORPORATION [JP/JP]; 5329, Shimosuwa-machi, Suwa-gun, Nagano 3938511 (JP)
Inventeurs : OKUMURA, Hirokatsu; (JP).
EBINE, Toru; (JP).
ODAGIRI, Hideyuki; (JP).
TSUNETA, Haruhiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
2013-071153 29.03.2013 JP
Titre (EN) MAGNETISM-SENSOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CAPTEUR DE MAGNÉTISME
(JA) 磁気センサ装置
Abrégé : front page image
(EN)The provision of a magnetism-sensor device wherein, without securing a large space around a magnet, the impact of inductive noise generated along a path along which output from a magnetism sensor is transmitted can be reduced. In this sensor device (10), a double-sided substrate (5) that has a magnetism sensor (4) mounted on one surface (501) and a semiconductor device (9) mounted on the other surface (502) is used, and said magnetism sensor (4) and semiconductor device (9) are electrically connected to each other via through-holes (50) in the double-sided substrate (5). The magnetism sensor (4) and the semiconductor device (9) are laid out such that at least parts thereof overlap in the thickness direction of the double-sided substrate (5), and the through-holes (50) are positioned so as to overlap both the magnetism sensor (4) and the semiconductor device (9) in the thickness direction of the double-sided substrate (5). This makes the transmission path from the magnetism sensor (4) to the semiconductor device (9) short, making inductive noise generated along the path along which output from the magnetism sensor (4) is transmitted small.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de capteur de magnétisme dans lequel, sans sécuriser un grand espace autour d'un aimant, l'impact de bruit inductif généré le long d'un chemin le long duquel une sortie provenant d'un capteur de magnétisme est émise peut être réduit. Dans ce dispositif de capteur (10), un substrat à double face (5) qui possède un capteur de magnétisme (4) monté sur une surface (501) et un dispositif à semi-conducteurs (9) monté sur l'autre surface (502) est utilisé, et ledit capteur de magnétisme (4) et ledit dispositif à semi-conducteurs (9) sont connectés électriquement l'un à l'autre par l'intermédiaire de trous traversants (50) dans le substrat à double face (5). Le capteur de magnétisme (4) et le dispositif à semi-conducteurs (9) sont disposés de telle sorte qu'au moins des parties de ceux-ci se chevauchent dans la direction d'épaisseur du substrat à double face (5), et les trous traversants (50) sont positionnés afin de chevaucher le capteur de magnétisme (4) et le dispositif à semi-conducteurs (9) dans la direction d'épaisseur du substrat à double face (5). Cela rend le chemin d'émission du capteur de magnétisme (4) au dispositif à semi-conducteurs (9) court, rendant un bruit inductif généré le long du chemin le long duquel une sortie provenant du capteur de magnétisme (4) est émise petit.
(JA) マグネットの周辺に大きなスペースを確保しなくても、感磁センサからの出力の伝送経路で発生する誘導ノイズの影響を緩和することのできる磁気センサ装置を提供すること。センサ装置10では、一方面501側に感磁センサ4が実装され、他方面502側に半導体装置9が実装された両面基板5を用い、感磁センサ4と半導体装置9とは、両面基板5のスルーホール50を介して電気的に接続されている。感磁センサ4と半導体装置9とは、少なくとも一部同士が両面基板5の厚さ方向において重なる位置に配置され、かつ、スルーホール50は、感磁センサ4および半導体装置9の双方に両面基板5の厚さ方向で重なる位置に形成されている。このため、感磁センサ4から半導体装置9への伝送経路が短いため、感磁センサ4からの出力の伝送経路で発生する誘導ノイズが小さい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)