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1. (WO2014155651) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/155651    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/059449
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 29.03.2013
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
Inventeurs : HISAMOTO Digh; (JP).
KOBAYASHI Keisuke; (JP).
TEGA Naoki; (JP).
OHNO Toshiyuki; (JP).
HAMAMURA Hirotaka; (JP).
MATSUMURA Mieko; (JP)
Mandataire : INOUE, Manabu; c/o HITACHI, LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)In MOSFETs using SiC substrates, there has been a problem of having a carbon-excessive layer formed on a surface when mechanical stress is applied due to thermal oxidation, and having a mobility of a channel carrier deteriorated. In the present invention, (1) a layer including carbon-carbon bond is removed, (2) a gate insulating film is formed by means of a deposition method, and (3) low-temperature and short-time interface treatment is performed to crystal surfaces and an insulating film interface. Consequently, a carbon-excessive layer that causes characteristic deterioration can be substantially eliminated, and dangling bond can be effectively eliminated by performing the interface treatment to the oxide film and the oxynitride film.
(FR)Selon l'invention, dans des MOSFET utilisant des substrats en SiC, il existait un problème de fourniture d'une couche à excès de carbone formée sur une surface lorsqu'une contrainte mécanique est appliquée en raison d'une oxydation thermique, et ayant une mobilité de porteurs de canal détériorés. Selon la présente invention, (1) une couche comprenant une liaison carbone-carbone est retirée, (2) un film isolant de grille est formé à l'aide d'un procédé de dépôt, et (3) un traitement d'interface à basse température et de courte durée est réalisé sur des surfaces cristallines et une interface de film isolant. Par conséquent, une couche à excès de carbone qui provoque une détérioration caractéristique peut être sensiblement éliminée, et une liaison pendante peut être éliminée de manière efficace par réalisation du traitement d'interface sur le film d'oxyde et le film d'oxynitrure.
(JA) SiC基板を用いたMOSFETにおいては、熱酸化による機械的応力の印加により、表面に炭素過剰層が形成され、チャネルキャリアの移動度を劣化させる課題がある。本発明では、(1)炭素間結合を含む層が除去されていること、(2)堆積法によりゲート絶縁膜が形成されていること、(3)結晶表面と絶縁膜界面に低温短時間の界面処理が施されていることである。これにより特性劣化を引き起こす炭素過剰層を実質的に消滅させるとともに、酸化膜および酸窒化膜への界面処理を施すことで、ダングリングボンドを実効的に消滅させることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)