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1. (WO2014155619) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE CONVERSION D'ÉNERGIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2014/155619    International Application No.:    PCT/JP2013/059323
Publication Date: 2 oct. 2014 International Filing Date: 28 mars 2013
IPC: H01L 21/52
H01L 21/60
Applicants: KABUSHIKI KAISHA YASKAWA DENKI
株式会社安川電機
Inventors: KOGUMA, Kiyonori
小熊 清典
TAKENAKA, Kunihiro
竹中 国浩
YAMAGUCHI, Yoshifumi
山口 芳文
HONDA, Tomokazu
本田 友和
UJITA, Yu
氏田 祐
SASAKI, Akira
佐々木 亮
Title: DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE CONVERSION D'ÉNERGIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur (100, 100a-100c) qui comprend un élément conducteur (20), un composant de dispositif semi-conducteur (10) disposé à la surface de l'élément conducteur, et une couche de liaison pour coller l'élément conducteur et le composant de dispositif semi-conducteur. Lorsqu'elle est vue dans une vue du plan, la couche de liaison comprend les éléments suivants : une première couche de liaison (16) qui est disposée vers l'intérieur à partir du bord externe du composant de dispositif semi-conducteur ; et une seconde couche de liaison (17) qui est disposée sur le côté externe de la première couche de liaison et qui possède une porosité inférieure à celle de la première couche de liaison.