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1. (WO2014153597) PROCÉDÉ D'ANODISATION D'UNE SURFACE D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/153597    N° de la demande internationale :    PCT/AU2014/000307
Date de publication : 02.10.2014 Date de dépôt international : 24.03.2014
CIB :
C25D 11/06 (2006.01), C25D 11/12 (2006.01), C25D 17/06 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED [AU/AU]; Rupert Myers Building Gate 14, Barker Street UNSW Sydney, New South Wales 2052 (AU)
Inventeurs : CUI, Jie; (AU).
WANG, Xi; (AU)
Mandataire : GRIFFITH HACK; Level 19 109 St Georges Terrace Perth, Western Australia 6000 (AU)
Données relatives à la priorité :
2013901031 25.03.2013 AU
Titre (EN) A METHOD OF ANODISING A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ D'ANODISATION D'UNE SURFACE D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure provides a method of anodising a surface of a semiconductor device comprising a p-n junction. The method comprises exposing a first surface portion of the semiconductor device to an electrolytic solution that is suitable for anodising the first surface portion when an electrical current is directed through a region at the first surface portion. Further, the method comprises exposing a portion of the semiconductor device to electromagnetic radiation in a manner such that the electromagnetic radiation induces the electrical current and the first surface portion anodises.
(FR)La présente invention concerne un procédé d'anodisation d'une surface d'un dispositif semi-conducteur comprenant une jonction p-n. Le procédé comprend les étapes consistant à : exposer une première partie de surface du dispositif semi-conducteur à une solution électrolytique appropriée pour une anodisation de la première partie de surface quand un courant électrique est dirigé à travers une région au niveau de la première partie de surface, et ; exposer une partie du dispositif semi-conducteur à un rayonnement électromagnétique d'une manière telle que le rayonnement électromagnétique induit le courant électrique et que la première partie de surface subit une anodisation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)