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1. WO2014131704 - CAPTEUR D'IMAGE AVEC GRILLE D'ANTI-EBLOUISSEMENT

Numéro de publication WO/2014/131704
Date de publication 04.09.2014
N° de la demande internationale PCT/EP2014/053436
Date du dépôt international 21.02.2014
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 16.10.2014
CIB
H01L 27/146 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
CPC
H01L 27/14609
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
H01L 27/14654
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14643Photodiode arrays; MOS imagers
14654Blooming suppression
H04N 5/3592
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
357Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
359applied to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
3591for the control of blooming
3592by controlling anti-blooming drains
H04N 5/3594
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
357Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
359applied to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
3591for the control of blooming
3594by evacuation via the output or reset lines
Déposants
  • E2V SEMICONDUCTORS [FR]/[FR]
Inventeurs
  • BARBIER, Frédéric
  • MAYER, Frédéric
Mandataires
  • GUERIN, Michel
Données relatives à la priorité
135178628.02.2013FR
Langue de publication Français (fr)
Langue de dépôt français (FR)
États désignés
Titre
(EN) IMAGE SENSOR WITH ANTI-BLOOMING GATE
(FR) CAPTEUR D'IMAGE AVEC GRILLE D'ANTI-EBLOUISSEMENT
Abrégé
(EN) The invention relates to electronic active-pixel image sensors. The pixel comprises a photodiode (PH) formed in an active semiconductor layer (12) and held at a zero reference potential, and above the active layer an anti-blooming gate (G5) adjacent, on one side, to the photodiode and, on the other side, to the an evacuation drain (22). The sensor comprises means for applying, to the anti-blooming gate, during most of the integration time, a blocking potential generating under the gate a potential barrier of a first height, and, during a series of short pulses during the integration time, an anti-blooming potential generating a potential barrier of a second height lower than the first. Applying the anti-blooming voltage only during the short pulses decreases the dark noise induced by quantum tunnelling by the electrical field between the gate and photodiode.
(FR) L'invention concerne les capteurs d'image électronique à pixels actifs. Le pixel comprend une photodiode (PH) constituée dans une couche active semiconductrice (12) et maintenue à un potentiel de référence nul, et au-dessus de la couche active une grille d'anti-éblouissement (G5) adjacente d'un côté à la photodiode et d'un autre côté à un drain (22) d'évacuation. Le capteur comprend des moyens pour appliquer à la grille d'anti-éblouissement, pendant la plus grande partie de la durée d'intégration, un potentiel de blocage créant sous la grille une barrière de potentiel d'une première hauteur, et, pendant une série d'impulsions brèves au cours de la durée d'intégration, un potentiel d'anti-éblouissement créant une barrière de potentiel d'une deuxième hauteur, plus faible que la première. Le fait d'appliquer la tension d'anti-éblouissement seulement pendant des impulsions brèves réduit le bruit d'obscurité induit par effet tunnel par le champ électrique entre grille et photodiode.
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