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1. (WO2014100723) HÉTÉRO-STRUCTURES EMPILÉES VERTICALEMENT COMPRENANT DU GRAPHÈNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/100723    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/077239
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 20.12.2013
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, Twelfth Floor Oakland, CA 94607 (US)
Inventeurs : DUAN, Xiangfeng; (US).
YU, Woojong; (US).
LIU, Yuan; (US).
HUANG, Yu; (US)
Mandataire : LIU, Cliff; Foley & Lardner LLP 3000 K Street N.W., Suite 600 Washington, District of Columbia 20007 (US)
Données relatives à la priorité :
61/745,102 21.12.2012 US
61/765,655 15.02.2013 US
Titre (EN) VERTICALLY STACKED HETEROSTRUCTURES INCLUDING GRAPHENE
(FR) HÉTÉRO-STRUCTURES EMPILÉES VERTICALEMENT COMPRENANT DU GRAPHÈNE
Abrégé : front page image
(EN)A vertically stacked heterostructure device includes: (1) a substrate; and (2) vertically stacked layers disposed over the substrate and including (a) a source electrode including a layer of graphene; (b) a drain electrode; and (c) a semiconducting channel disposed between the source electrode and the drain electrode. During operation of the device, a current is configured to flow between the source electrode and the drain electrode through the semiconducting channel.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à hétéro-structures empilées verticalement, ledit dispositif comprenant : (1) un substrat ; et (2) des couches empilées verticalement disposées sur le substrat et qui comprennent (a) une électrode source qui comprend une couche de graphène ; (b) une électrode drain ; et (c) un canal semi-conducteur disposé entre l'électrode source et l'électrode drain. Durant le fonctionnement du dispositif, un courant est conçu pour s'écouler entre l'électrode source et l'électrode drain à travers le canal semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)