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1. (WO2014100656) COMPOSITION DE SILICONE POUVANT DURCIR DU TYPE THERMOFUSIBLE POUR LE MOULAGE PAR COMPRESSION OU LA STRATIFICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/100656    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/077074
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 20.12.2013
CIB :
C09D 183/10 (2006.01), C08G 77/50 (2006.01), C09J 183/10 (2006.01), H01L 23/29 (2006.01)
Déposants : DOW CORNING CORPORATION [US/US]; 2200 West Salzburg Road P.O. Box 994 Midland, Michigan 48686 (US).
DOW CORNING TORAY CO., LTD. [JP/JP]; 5-1, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 100-0004 (JP)
Inventeurs : YOSHIDA, Shin; (JP).
YOSHITAKE, Makoto; (JP).
YAMAZAKI, Haruna; (JP).
AMAKO, Masaaki; (JP).
SWIER, Steven; (US).
NAKATA, Toshiki; (JP)
Mandataire : PERDOK, Monique M.; Schwegman, Lundberg & Woessner, P.A. P. O. Box 2938 Minneapolis, Minnesota 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
61/740,765 21.12.2012 US
Titre (EN) HOT-MELT TYPE CURABLE SILICONE COMPOSITION FOR COMPRESSION MOLDING OR LAMINATING
(FR) COMPOSITION DE SILICONE POUVANT DURCIR DU TYPE THERMOFUSIBLE POUR LE MOULAGE PAR COMPRESSION OU LA STRATIFICATION
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a hot-meltable curable silicone composition for compression molding or laminating and a laminate provided with at least one layer comprising the composition, as well as a semiconductor device using these and a method of manufacturing the same. In accordance with the present invention, it is possible to efficiently manufacture a semiconductor device provided with a hemi-spheroidal lens- or dome-shaped seal. In the present invention, it is easy to control the shape of the seal, and the seal does not contain any bubbles. In the present invention, it is also easy to control the thickness of the coating layer of the semiconductor device apart from the seal.
(FR)La présente invention concerne une composition thermofusible de silicone pouvant durcir pour un moulage par compression ou une stratification et un stratifié pourvu d'au moins une couche comportant la composition, ainsi qu'un dispositif semi-conducteur utilisant ceux-ci et leur procédé de fabrication. Conformément à la présente invention, il est possible de fabriquer de façon efficace un dispositif semi-conducteur pourvu d'un scellement en forme de lentille hémisphérique ou en forme de dôme. Dans la présente invention, il est facile de maîtriser la forme du scellement, celui-ci ne contenant aucune bulle. Dans la présente invention, il est également facile de réguler l'épaisseur de la couche de revêtement du dispositif semi-conducteur à l'écart du scellement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)