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1. (WO2014100648) CAPTEUR INFRAROUGE ENCAPSULÉ DANS UN FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/100648    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/077052
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 20.12.2013
CIB :
G01J 5/04 (2006.01), G01J 5/20 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GmbH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 D-70442 Stuttgart (DE).
PURKL, Fabian [DE/US]; (US).
YAMA, Gary [US/US]; (US).
FEYH, Ando [DE/US]; (US).
GRAHAM, Andrew [US/US]; (US).
SAMARAO, Ashwin [IN/US]; (US).
O'BRIEN, Gary [US/US]; (US)
Inventeurs : PURKL, Fabian; (US).
YAMA, Gary; (US).
FEYH, Ando; (US).
GRAHAM, Andrew; (US).
SAMARAO, Ashwin; (US).
O'BRIEN, Gary; (US)
Mandataire : MAGINOT, Paul, J.; Maginot, Moore & Beck LLP One Indiana Square, Suite 2200 Indianapolis, IN 46204 (US)
Données relatives à la priorité :
61/740,737 21.12.2012 US
Titre (EN) THIN-FILM ENCAPSULATED INFRARED SENSOR
(FR) CAPTEUR INFRAROUGE ENCAPSULÉ DANS UN FILM MINCE
Abrégé : front page image
(EN)A method of fabricating a bolometer infrared sensor includes depositing a first sacrificial layer on a surface of a substrate over a sensor region, and forming an absorber structure for the infrared sensor on top of the first sacrificial layer. A second sacrificial layer is deposited on top of the absorber structure. An encapsulating thin film is then deposited on top of the second sacrificial layer. Vent holes are formed in the encapsulating thin film. The first and the second sacrificial layers are removed below the encapsulating thin film to release the absorber structure and form a cavity above the sensing region that extends down to the substrate in which the absorber structure is located via the vent holes. The vent holes are then closed in a vacuum environment to seal the absorber structure within the cavity.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur infrarouge de bolomètre, comprenant le dépôt d'une première couche sacrificielle sur une surface d'un substrat sur une région de capteur, et la formation d'une structure d'absorbeur pour le capteur infrarouge au-dessus de la première couche sacrificielle. Une seconde couche sacrificielle est déposée au-dessus de la structure d'absorbeur. Un film mince d'encapsulation est ensuite déposé au-dessus de la seconde couche sacrificielle. Des trous de mise à l'air sont formés dans le film mince d'encapsulation. Les première et seconde couches sacrificielles sont retirées sous le film mince d'encapsulation pour libérer la structure d'absorbeur et former une cavité au-dessus de la région de détection qui s'étend vers le bas jusqu'au substrat dans laquelle se trouve la structure d'absorbeur par l'intermédiaire des trous de mise à l'air. Les trous de mise à l'air sont ensuite fermés dans un environnement sous vide pour sceller la structure d'absorbeur au sein de la cavité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)