WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014100575) STRUCTURE D'ABSORPTION DE LUMIÈRE PAR INTERFÉROMÉTRIE POUR APPAREIL D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/100575    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/076898
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 20.12.2013
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.10.2014    
CIB :
G02B 5/00 (2006.01), G02B 5/20 (2006.01), G02B 5/28 (2006.01), G02B 26/02 (2006.01)
Déposants : PIXTRONIX, INC. [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : SHI, Jianru; (US)
Mandataire : GORDON, Edward A.; Foley & Lardner LLP 3000 K Street N.W., Suite 600 Washington, District of Columbia 20007-5109 (US)
Données relatives à la priorité :
13/725,272 21.12.2012 US
Titre (EN) INTERFEROMETRIC LIGHT ABSORBING STRUCTURE FOR DISPLAY APPARATUS
(FR) STRUCTURE D'ABSORPTION DE LUMIÈRE PAR INTERFÉROMÉTRIE POUR APPAREIL D'AFFICHAGE
Abrégé : front page image
(EN)This disclosure provides systems, methods and apparatus related to light absorbing structures. In one aspect, a light absorbing structure has a metal layer and a semiconductor layer in contact with the metal layer. Each layer has a thickness up to about 50 nm. The metal layer can include at least one of titanium (Ti), molybdenum (Mo), and aluminum (Al). The semiconductor layer can include a layer of amorphous silicon (a-Si). The light absorbing structure can be included in a display apparatus having a substrate supporting an array of display elements. The light absorbing structure can include a dielectric layer in contact with the metal layer and a thick metal layer in contact with the semiconductor layer. In another aspect, a light absorbing structure has a metal layer and an ITO layer in contact with the metal layer. The thickness of the ITO layer can be less than about 100 nm.
(FR)L'invention concerne des systèmes, des procédés et des appareils associés à des structures d'absorption de lumière. Selon un aspect, une structure d'absorption de lumière comprend une couche métallique et une couche de semi-conducteur en contact avec la couche métallique. Chaque couche possède une épaisseur jusqu'à 50 nm. La couche métallique peut comprendre au moins l'un du titane (Ti), du molybdène (Mo) et de l'aluminium (Al). La couche de semi-conducteur peut comprendre une couche de silicium amorphe (a-Si). La structure d'absorption de lumière peut être incluse dans un appareil d'affichage ayant un substrat supportant un réseau d'éléments d'affichage. La structure d'absorption de lumière peut comprendre une couche diélectrique en contact avec la couche métallique et une couche métallique épaisse en contact avec la couche de semi-conducteur. Selon un autre aspect, une structure d'absorption de lumière comprend une couche métallique et une couche ITO en contact avec la couche métallique. L'épaisseur de la couche ITO peut être inférieure à environ 100 nm.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)