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1. (WO2014100491) PROTECTION DE MONTAGES CASCODE D'AMPLIFICATEUR CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/100491    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/076715
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 19.12.2013
CIB :
H03F 1/22 (2006.01), H03F 1/52 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International Ip Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US)
Inventeurs : KHATRI, Himanshu; (US).
CHOKSI, Ojas M.; (US).
ZHUO, Wei; (US)
Mandataire : MOBARHAN, Ramin; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, Califonia 92121 (US)
Données relatives à la priorité :
13/720,836 19.12.2012 US
Titre (EN) ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION OF AMPLIFIER CASCODE DEVICES
(FR) PROTECTION DE MONTAGES CASCODE D'AMPLIFICATEUR CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES
Abrégé : front page image
(EN)Exemplary embodiments are directed to providing electrostatic discharge (ESD) protection of a cascode device of an amplifier. In an exemplary embodiment, a transistor is configured to receive a bias voltage and at least one circuit element coupled to the transistor and configured to receive an input voltage via an input pad. Additionally at least one diode can be coupled to a drain of the first transistor and configured to limit a voltage potential at an internal node of the amplifier caused by the input pad.
(FR)Selon des modes de réalisation cités à titre d'exemple, cette invention concerne la protection d'un motage cascode d'un amplificateur contre les décharges électrostatiques (ESD). Selon un mode de réalisation cité à titre d'exemple, un transistor est conçu pour recevoir une tension de polarisation et au moins un élément de circuit couplé au transistor est conçu pour recevoir une tension d'entrée par l'intermédiaire d'un contact d'entrée. De plus, au moins une diode peut être couplée à un drain du premier transistor et conçue pour limiter un potentiel de tension créé par le contact d'entrée sur un noeud interne de l'amplificateur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)