WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014100200) PROCÉDÉ ET STRUCTURES POUR INTERPOSEURS DE DISSIPATION THERMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/100200    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/076158
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 18.12.2013
CIB :
H01L 23/48 (2006.01), H01L 23/367 (2006.01)
Déposants : INVENSAS CORPORATION [US/US]; 3025 Orchard Parkway San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : UZOH, Cyprian Emeka; (US).
MONADGEMI, Pezhman; (US).
CASKEY, Terrence; (US).
AYATOLLAHI, Fatima Lina; (US).
HABA, Belgacem; (US).
WOYCHIK, Charles G.; (US).
NEWMAN, Michael; (US)
Mandataire : LATTIN, Christopher W.; Invensas Corporation 3025 Orchard Parkway San Jose, CA 95134 (US)
Données relatives à la priorité :
13/720,346 19.12.2012 US
Titre (EN) METHOD AND STRUCTURES FOR HEAT DISSIPATING INTERPOSERS
(FR) PROCÉDÉ ET STRUCTURES POUR INTERPOSEURS DE DISSIPATION THERMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method for making an interconnect element includes depositing a thermally conductive layer (38) on an in-process unit (10). The in-process unit includes a semiconductor material layer (12) defining a surface and edges surrounding the surface, a plurality of conductive elements (20), each conductive element having a first portion extending through the semiconductor material layer and a second portion extending from the surface of the semiconductor material layer. Dielectric coatings (28) extend over at least the second portion of each conductive element. The thermally conductive layer (38) is deposited on the in-process unit at a thickness of at least 10 microns so as to overlie a portion of the surface of the semiconductor material layer between the second portions of the conductive elements with the dielectric coatings positioned between the conductive elements and the thermally conductive layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un élément d'interconnexion qui comprend le dépôt d'une couche thermoconductrice (38) dans une unité intégrée au processus (10). L'unité intégrée au processus comprend une couche de matériau semi-conducteur (12) définissant une surface et des bords entourant la surface, une pluralité d'éléments conducteurs (20), chaque élément conducteur ayant une première partie s'étendant à travers la couche de matériau de semi-conducteur et une seconde partie s'étendant à partir de la surface de la couche de matériau semi-conducteur. Des revêtements diélectriques (28) s'étendent sur au moins la seconde partie de chaque élément conducteur. La couche thermoconductrice (38) est déposée sur l'unité intégrée au processus à une épaisseur d'au moins 10 microns de façon à recouvrir une partie de la surface de la couche de matériau de semi-conducteur entre les secondes parties des éléments conducteurs avec les revêtements diélectriques positionnés entre les éléments conducteurs et la couche thermoconductrice.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)