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1. (WO2014100186) PROCÉDÉ ET STRUCTURE POUR MANIPULATION DE TRANCHES MINCES SANS PORTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/100186    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/076137
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 18.12.2013
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/78 (2006.01), H01L 21/56 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01)
Déposants : INVENSAS CORPORATION [US/US]; 3025 Orchard Parkway San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : UZOH, Cyprian, Emeka; (US).
MONADGEMI, Pezhman; (US).
NEWMAN, Michael; (US).
WOYCHIK, Charles, G.; (US).
CASKEY, Terrence; (US)
Mandataire : LATTIN, Christopher, W.; Invensas Corporation 3025 Orchard Parkway San Jose, CA 95134 (US)
Données relatives à la priorité :
13/724,223 21.12.2012 US
Titre (EN) METHOD AND STRUCTURE FOR CARRIER-LESS THIN WAFER HANDLING
(FR) PROCÉDÉ ET STRUCTURE POUR MANIPULATION DE TRANCHES MINCES SANS PORTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Methods of forming a microelectronic assembly and the resulting structures and devices are disclosed herein. In one embodiment, a method of forming a microelectronic assembly includes removing material exposed at portions of a surface of a substrate to form a processed substrate having a plurality of thinned portions separated by integral supporting portions of the processed substrate having a thickness greater than a thickness of the thinned portions, at least some of the thinned portions including a plurality of electrically conductive interconnects extending in a direction of the thicknesses of the thinned portions and exposed at the surface; and removing the supporting portions of the substrate to sever the substrate into a plurality of individual thinned portions, at least some individual thinned portions including the interconnects.
(FR)L'invention porte sur des procédés de formation d'un ensemble microélectronique et sur les structures et sur les dispositifs résultants. Dans un mode de réalisation, un procédé de formation d'un ensemble microélectronique met en œuvre le retrait d'un matériau exposé au niveau de parties d'une surface d'un substrat pour former un substrat traité ayant une pluralité de parties amincies séparées par des parties de support intégrées du substrat traité, ayant une épaisseur supérieure à une épaisseur des parties amincies, au moins certaines des parties amincies comprenant une pluralité d'interconnexions électriquement conductrices s'étendant dans une direction des épaisseurs des parties amincies, et exposées au niveau de la surface; et le retrait des parties de support de substrat de façon à séparer le substrat en une pluralité de parties amincies individuelles, au moins certaines parties amincies individuelles comprenant les interconnexions.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)