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1. (WO2014100070) MODULATEUR OPTIQUE HYBRIDE DESTINÉ À DES DISPOSITIFS À CIRCUIT INTÉGRÉ PHOTONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/100070    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/075916
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 18.12.2013
CIB :
G02F 1/025 (2006.01)
Déposants : ALCATEL LUCENT [FR/FR]; 148/152, route de la Reine F-92100 Boulogne-Billancourt (FR)
Inventeurs : CHEN, Long; (US)
Mandataire : MCCABE, John, F.; Alcatel-Lucent USA Inc. Attention: Docket Administrator - Room 3B-212F 600-700 Mountain Avenue Murray Hill, NJ 07974-0636 (US)
Données relatives à la priorité :
13/724,926 21.12.2012 US
Titre (EN) HYBRID OPTICAL MODULATOR FOR PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT DEVICES
(FR) MODULATEUR OPTIQUE HYBRIDE DESTINÉ À DES DISPOSITIFS À CIRCUIT INTÉGRÉ PHOTONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus comprising an optical modulator, wherein the optical modulator comprises a planar substrate, a first III-V semiconductor layer on the substrate, and a silicon layer on the substrate. The optical modulator includes a planar semiconductor optical waveguide having a hybrid optical core, the hybrid optical core including vertically adjacent lateral portions of the first III-V semiconductor layer and the silicon layer
(FR)La présente invention concerne un appareil qui comprend un modulateur optique, le modulateur optique comprenant un substrat plat, une première couche de semi-conducteur III-V sur le substrat, et une couche de silicium sur le substrat. Le modulateur optique comprend un guide d'ondes optique à semi-conducteur plat qui possède un noyau optique hybride, le noyau optique hybride comprenant des parties latérales verticalement adjacentes de la première couche de semi-conducteur III-V et de la couche de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)