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1. (WO2014100043) CELLULES SOLAIRES COMPORTANT DES RÉGIONS DOPÉES À GRADIENT ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES COMPORTANT DES RÉGIONS DOPÉES À GRADIENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/100043    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/075869
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 17.12.2013
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.07.2014    
CIB :
H01L 31/00 (2006.01)
Déposants : INTEVAC, INC. [US/US]; 3560 Bassett Street Santa Clara, California 95054-2704 (US)
Inventeurs : HIESLMAIR, Henry; (US).
ADIBI, Babak; (US)
Mandataire : HAYES, Jennifer; Nixon Peabody LLP 2 Palo Alto Square, Suite 500 3000 El Camino Real Palo Alto, California 94306-2106 (US)
Données relatives à la priorité :
13/719,145 18.12.2012 US
Titre (EN) SOLAR CELLS HAVING GRADED DOPED REGIONS AND METHODS OF MAKING SOLAR CELLS HAVING GRADED DOPED REGIONS
(FR) CELLULES SOLAIRES COMPORTANT DES RÉGIONS DOPÉES À GRADIENT ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES COMPORTANT DES RÉGIONS DOPÉES À GRADIENT
Abrégé : front page image
(EN)A photovoltaic cell having a graded doped region such as a graded emitter and methods of making photovoltaic cells having graded doped regions such as a graded emitter are disclosed. Doping is adjusted across a surface to minimize resistive (I2R) power losses. The graded emitters provide a gradual change in sheet resistance over the entire distance between the lines. The graded emitter profile may have a lower sheet resistance near the metal lines and a higher sheet resistance farther from the metal line edges. The sheet resistance is graded such that the sheet resistance is lower where I2R power losses are highest due to current crowding. One advantage of graded emitters over selective emitters is improved efficiency. An additional advantage of graded emitters over selective emitters is improved ease of aligning metallization to the low sheet resistance regions.
(FR)La présente invention concerne une cellule photovoltaïque qui comporte une région dopée à gradient, telle qu'un émetteur à gradient, et des procédés de fabrication de cellules photovoltaïques qui comportent des régions dopées à gradient, telles qu'un émetteur à gradient. Le dopage est réglé sur une surface pour minimiser les pertes de puissance résistive (I2R). Les émetteurs à gradient fournissent un changement progressif de résistance de couche sur la distance entière entre les lignes. Le profil d'émetteur à gradient peut présenter une résistance de couche plus basse près des lignes de métal et une résistance de couche plus élevée à un emplacement plus éloigné des bords de lignes de métal. La résistance de couche est graduée de sorte que la résistance de couche soit plus basse dans des emplacements auxquels les pertes de puissance I2R sont les plus élevées en raison d'une concentration de courant. Un avantage des émetteurs à gradient par rapport à des émetteurs sélectifs est un rendement amélioré. Un avantage supplémentaire des émetteurs à gradient par rapport à des émetteurs sélectifs est une facilité améliorée de l'alignement de la métallisation par rapport aux régions à résistance de couche plus basse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)