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1. (WO2014100010) AUGMENTATION DE RAPPORT IALLUMÉ/IÉTEINT DANS DES FINFET ET DES NANOFILS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/100010    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/075814
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 17.12.2013
CIB :
H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : SYNOPSYS, INC. [US/US]; 690 E. Middlefield Rd. Mountain View, CA 94043 (US)
Inventeurs : CHOI, Munkang; (US).
MOROZ, Victor; (US).
LIN, Xi-wei; (US)
Mandataire : WOLFELD, Warren, S.; Haynes Beffel & Wolfeld LLP P.O. Box 366 Half Moon Bay, CA 94019 (US)
Données relatives à la priorité :
13/717,532 17.12.2012 US
Titre (EN) INCREASING ION/IOFF RATIO IN FINFETS AND NANO-WIRES
(FR) AUGMENTATION DE RAPPORT IALLUMÉ/IÉTEINT DANS DES FINFET ET DES NANOFILS
Abrégé : front page image
(EN)Roughly described, an integrated circuit transistor structure has a body of semiconductor material, the body having two longitudinally spaced doped source/drain volumes with a channel between, a gate stack disposed outside the body and facing at least one of the surfaces of the body along the channel. The body contains an adjustment volume, longitudinally within the channel volume and spaced behind the first surface by a first distance and spaced longitudinally from both the source/drain volumes. The adjustment volume comprises an adjustment volume material having, at each longitudinal position, an electrical conductivity which differs from that of the adjacent body material at the same longitudinal position, at least while the transistor is in an off-state. In one embodiment the adjustment volume material is a dielectric. In another embodiment the adjustment volume material is an electrical conductor.
(FR)Décrite grossièrement, une structure de transistor de circuit intégré a un corps de matériau de semi-conducteur, le corps ayant deux volumes source/drain dopés espacés de manière longitudinale avec un canal entre ceux-ci, et une pile de grilles disposée à l'extérieur du corps et tournée vers au moins l'une des surfaces du corps le long du canal. Le corps contient un volume de réglage, longitudinalement à l'intérieur du volume de canal et espacé derrière la première surface par une première distance et espacé longitudinalement des deux volumes source/drain. Le volume de réglage comprend un matériau de volume de réglage ayant, au niveau de chaque position longitudinale, une conductivité électrique qui diffère de celle du matériau de corps adjacent au niveau de la même position longitudinale, au moins pendant que le transistor est dans un état éteint. Selon un mode de réalisation, le matériau de volume de réglage est un diélectrique. Selon un autre mode de réalisation, le matériau de volume de réglage est un conducteur électrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)