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1. (WO2014099918) CONSTRUCTION DE FOSSÉS POUR RÉDUIRE LE COUPLAGE DE BRUIT À UNE ALIMENTATION ÉLECTRIQUE SILENCIEUSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/099918    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/075681
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 17.12.2013
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US)
Inventeurs : FICKE, Joel, T.; (US).
FRIEND, David, M.; (US).
STROM, James, D.; (US).
UNTERBORN, Erik, S.; (US)
Mandataire : KALAITZIS, Parashos; IBM Corporation 2070 Route 52 Hopewell Junction, New York 12533 (US)
Données relatives à la priorité :
13/718,019 18.12.2012 US
Titre (EN) MOAT CONSTRUCTION TO REDUCE NOISE COUPLING TO A QUIET SUPPLY
(FR) CONSTRUCTION DE FOSSÉS POUR RÉDUIRE LE COUPLAGE DE BRUIT À UNE ALIMENTATION ÉLECTRIQUE SILENCIEUSE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor chip having a P- substrate 101 and an N+ epitaxial layer 102 grown on the P- substrate 101 is shown. A P- circuit layer 103 is grown on top of the N+ epitaxial layer 102. A first moat 1 10A having an electrically quiet ground connected to a first N+ epitaxial region 102A is created by isolating the first N+ epitaxial region 102A with a first deep trench 140A. The first moat is surrounded 1 10A, except for a DC path, by a second moat 1 10B with a second N+ epitaxial region 102B, created by isolating the second N+ epitaxial region 102B with a second deep trench 140B. The second moat 1 10B may be arranged as a rectangular spiral around the first moat 110A.
(FR)La présente invention se rapporte à une puce à semi-conducteurs qui comporte un substrat de type P- (101) et une couche épitaxiale de type N+ (102) développée sur le substrat de type P- (101). Une couche de circuit de type P- (103) est développée sur la partie supérieure de la couche épitaxiale de type N+ (102). Un premier fossé (110A) qui comporte une masse électriquement silencieuse raccordée à une première région épitaxiale de type N+ (102A), est créé par isolement de la première région épitaxiale de type N+ (102A) avec une première tranchée profonde (140A). Le premier fossé (110A) est entouré, à l'exception d'un trajet de courant continu, par un second fossé (110B) comportant une seconde région épitaxiale de type N+ (102B) créée par isolement de la seconde région épitaxiale de type N+ (102B) avec une seconde tranchée profonde (140B). Le second fossé (110B) peut être agencé sous la forme d'une spirale rectangulaire autour du premier fossé (110A).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)