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1. (WO2014099915) CAPTEUR RÉSISTIF D'HUMIDITÉ DE TYPE MEMS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/099915    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/075677
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 17.12.2013
CIB :
G01N 27/12 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE).
FEYH, Ando [DE/US]; (US).
GRAHAM, Andrew [US/US]; (US).
SAMARAO, Ashwin [IN/US]; (US).
YAMA, Gary [US/US]; (US).
O'BRIEN, Gary [US/US]; (US)
Inventeurs : FEYH, Ando; (US).
GRAHAM, Andrew; (US).
SAMARAO, Ashwin; (US).
YAMA, Gary; (US).
O'BRIEN, Gary; (US)
Mandataire : MAGINOT, Paul, J.; Maginot, Moore & Beck LLP One Indiana Square, Suite 2200 Indianapolis, IN 46204 (US)
Données relatives à la priorité :
61/739,633 19.12.2012 US
Titre (EN) RESISTIVE MEMS HUMIDITY SENSOR
(FR) CAPTEUR RÉSISTIF D'HUMIDITÉ DE TYPE MEMS
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device includes a substrate, an insulating film provided on a surface of the substrate, and a sensing film formed of a conductive material deposited on top of the insulating film. The sensing film defines at least one conductive path between a first position and a second position on the insulating film. A first circuit connection is electrically connected to the sensing film at the first position on the insulating layer, and a second circuit connection is electrically connected to the sensing film at the second position. A control circuit is operatively connected to the first circuit connection and the second circuit connection for measuring an electrical resistance of the sensing film. The sensing film has a thickness that enables a resistivity of the sensing film to be altered predictably in a manner that is dependent on ambient moisture content.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semiconducteur comprenant un substrat, un film isolant placé sur une surface du substrat et un film de détection formé d'un matériau conducteur déposé par-dessus le film isolant. Le film de détection définie au moins un parcours conducteur entre une première position et une deuxième position sur le film isolant. Un premier branchement de circuit est relié électriquement au film de détection au niveau de la première position sur la couche isolante, et un deuxième branchement de circuit est relié électriquement au film de détection au niveau de la deuxième position. Un circuit de commande est relié fonctionnellement au premier branchement de circuit et au deuxième branchement de circuit pour mesurer une résistance électrique du film de détection. Le film de détection présente une épaisseur qui permet à une résistivité du film de détection d'être modifiée de façon prévisible en fonction de la teneur d'humidité ambiante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)