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1. (WO2014099772) PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES POUR COMPOSANTS ÉLECTRIQUES, DISPOSITIFS COMPRENANT UNE TELLE PROTECTION ET PROCÉDÉS POUR LEUR FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/099772    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/075376
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 16.12.2013
CIB :
H01L 25/16 (2006.01)
Déposants : OSRAM SYLVANIA INC. [US/US]; 100 Endicott Street Danvers, Massachusetts 01923 (US)
Inventeurs : HAMBY, David; (US).
SCOTCH, Adam; (US)
Mandataire : MONTANA, Shaun P.; 100 Endicott Street Danvers, Massachusetts 01923 (US)
Données relatives à la priorité :
13/724,713 21.12.2012 US
Titre (EN) ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION FOR ELECTRICAL COMPONENTS, DEVICES INCLUDING SUCH PROTECTION AND METHODS FOR MAKING THE SAME
(FR) PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES POUR COMPOSANTS ÉLECTRIQUES, DISPOSITIFS COMPRENANT UNE TELLE PROTECTION ET PROCÉDÉS POUR LEUR FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Systems and methods for protecting electrical components such as light emitting diodes are described. In some embodiments, electrical components are protected from high level electrostatic discharge ("ESD") events by a circuit board that provides an intrinsic level of ESD protection. At the same time, such electrical components are protected against low level ESD events by one or more diodes that are electrically coupled thereto. The one or more diodes may be thin film diodes comprising at least one layer of p-type semiconductive material and at least one layer of n-type semiconductive material. Devices including ESD protection and methods for manufacturing such devices are also described.
(FR)L'invention concerne des systèmes et des procédés destinés à protéger des composants électriques comme des diodes électroluminescentes. Dans certains modes de réalisation, les composants électriques sont protégés des événements de décharge électrostatique ("ESD") de haut niveau par une carte à circuits qui assure un niveau intrinsèque de protection contre l'ESD. En même temps, lesdits composants électriques sont protégés contre des événements d'ESD de bas niveau par une ou plusieurs diodes couplées électriquement à ceux-ci. La ou les diodes peuvent être des diodes en film mince comportant au moins une couche de matériau semiconducteur de type p et au moins une couche de matériau semiconducteur de type n. Des dispositifs comprenant une protection contre l'ESD et des procédés de fabrication de tels dispositifs sont également décrits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)