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1. (WO2014099729) CIRCUITS DE COMMANDE DE GRILLE LIMITANT LE BROUILLAGE ÉLECTROMAGNÉTIQUE ET L'AFFAIBLISSEMENT DE COMMUTATION, ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/099729    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/075293
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 16.12.2013
CIB :
H03K 17/16 (2006.01)
Déposants : EATON CORPORATION [US/US]; 1000 Eaton Boulevard Cleveland, Ohio 44122 (US)
Inventeurs : JOHNSON, Robert, William, Jr.; (US)
Mandataire : MYERS BIGEL SIBLEY & SAJOVEC, P.A.; P.O. Box 37428 Raleigh, North Carolina 27627 (US)
Données relatives à la priorité :
13/717,927 18.12.2012 US
Titre (EN) GATE DRIVE CIRCUITS THAT CONTROL ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE AND SWITCHING LOSSES AND RELATED METHODS
(FR) CIRCUITS DE COMMANDE DE GRILLE LIMITANT LE BROUILLAGE ÉLECTROMAGNÉTIQUE ET L'AFFAIBLISSEMENT DE COMMUTATION, ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé : front page image
(EN)Gate drive circuits for use with semiconductor switching devices are provided. The gate drive circuits include a gate resistor Rl of the semiconductor switching device; a resistance control module 220 in series with the gate resistor of the semiconductor switching device, the resistance control module being configured to provide a first resistance that controls electromagnetic interference under normal operating conditions; and a second resistance during abnormal events; and an abnormal event detector 210 coupled to the resistance control module, the abnormal event detector configured to detect an abnormal event and send an abnormal event signal to the resistance control module responsive to detection of the abnormal event. The resistance control module is configured to provide the second resistance by shorting the resistance provided by the resistance control module responsive to the abnormal event signal to provide increased gate drive and reduced switching losses during the abnormal event.
(FR)L'invention concerne des circuits de commande de grille destinés à être utilisés avec des dispositifs de commutation à semiconducteurs. Les circuits de commande de grille comprennent une résistance de grille Rl du dispositif de commutation à semiconducteurs; un module 220 de commande de résistance en série avec la résistance de grille du dispositif de commutation à semiconducteurs, le module de commande de résistance étant configuré pour mettre en place une première résistance qui limite le brouillage électromagnétique dans des conditions normales d'exploitation; et une deuxième résistance lors d'événements anormaux; et un détecteur 210 d'événements anormaux couplé au module de commande de résistance, le détecteur d'événements anormaux et en configuré pour détecter un événement anormal et pour envoyer un signal d'événement anormal au module de commande de résistance en réaction à la détection de l'événement anormal. Le module de commande de résistance est configuré pour mettre en place la deuxième résistance en mettant en court-circuit la résistance mise en place par le module de commande de résistance en réaction au signal d'événement anormal afin d'assurer une commande de grille accrue et un affaiblissement de commutation réduit pendant l'événement anormal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)