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1. (WO2014099590) TRANSISTOR TFT À OXYDE MÉTALLIQUE OFFRANT UNE STABILITÉ THERMIQUE AMÉLIORÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/099590    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/074607
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 12.12.2013
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : CBRITE INC. [US/US]; 421 Pine Ave. Goleta, CA 93117-3709 (US)
Inventeurs : SHIEH, Chan-Long; (US).
FOONG, Fatt; (US).
MUSOLF, Juergen; (US).
YU, Gang; (US)
Mandataire : PARSONS, Robert A.; 15615 N. 71st Street Suite 106 Scottsdale, AZ 85254 (US)
Données relatives à la priorité :
13/718,183 18.12.2012 US
Titre (EN) METAL OXIDE TFT WITH IMPROVED TEMPERATURE STABILITY
(FR) TRANSISTOR TFT À OXYDE MÉTALLIQUE OFFRANT UNE STABILITÉ THERMIQUE AMÉLIORÉE
Abrégé : front page image
(EN)A metal oxide thin film transistor includes a metal oxide semiconductor channel with the metal oxide semiconductor having a conduction band with a first energy level. The transistor further includes a layer of passivation material covering at least a portion of the metal oxide semiconductor channel. The passivation material has a conduction band with a second energy level equal to, or less than 0.5 eV above the first energy level.
(FR)Un transistor à couches minces (TFT) à oxyde métallique comprend un canal de semi-conducteur à oxyde métallique, le semi-conducteur à oxyde métallique ayant une bande de conduction présentant un premier niveau d'énergie. Le transistor comprend en outre une couche de matériau de passivation recouvrant au moins une partie du canal de semi-conducteur à oxyde métallique. Le matériau de passivation a une bande de conduction présentant un second niveau d'énergie égal au premier niveau d'énergie ou de moins de 0,5 eV au-dessus du premier niveau d'énergie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)