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1. (WO2014099583) SOURCE D'IONS METTANT EN ŒUVRE UNE GÉNÉRATION D'ÉLECTRONS SECONDAIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/099583    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/074583
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 12.12.2013
CIB :
H01J 33/02 (2006.01), G01V 5/04 (2006.01)
Déposants : SCHLUMBERGER CANADA LIMITED [CA/CA]; 525-3rd Avenue Southwest Calgary, Alberta T2P-0G4 (CA) (CA only).
SERVICES PETROLIERS SCHLUMBERGER [FR/FR]; 42 rue Saint Dominique F-75007 Paris (FR) (FR only).
SCHLUMBERGER HOLDINGS LIMITED; P.O. Box 71, Craigmuir Chambers, Road Town 1110 Tortola, Virgin Island, British, (VG) (GB, JP, NL only).
SCHLUMBERGER TECHNOLOGY B.V. [NL/NL]; Parkstraat 83-89m NL-2514 JG The Hague (NL) (AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GA, GD, GE, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IR, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, NE, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, ZA, ZM, ZW only).
PRAD RESEARCH AND DEVELOPMENT LIMITED; P.O. Box 71, Craigmuir Chambers, Road Town 1110 Tortola, Virgin Island, British, (VG) (AE, AO, BF, BH, BJ, CF, CG, CI, CM, CN, GA, GH, GN, GQ, GW, IN, KM, LY, MA, ML, MR, MZ, NA, NE, NG, PH, SD, SN, SY, TD, TG, VN only).
SCHLUMBERGER TECHNOLOGY CORPORATION [US/US]; 300 Schlumberger Drive, Sugar Land, Texas 77478 (US) (US only)
Inventeurs : REIJONEN, Jani; (US).
MOLODETSKY, Irina; (US).
STEPHENSON, Kenneth E.; (US)
Mandataire : BERMAN, Jeremy; 10001 Richmond Avenue IP Administration Center of Excellence Room 4720 Houston, Texas 77042 (US)
Données relatives à la priorité :
13/720,699 19.12.2012 US
Titre (EN) ION SOURCE EMPLOYING SECONDARY ELECTRON GENERATION
(FR) SOURCE D'IONS METTANT EN ŒUVRE UNE GÉNÉRATION D'ÉLECTRONS SECONDAIRES
Abrégé : front page image
(EN)An ion source includes a cathode emitting primary electrons, a cathode grid downstream of the cathode, a reflector electrode downstream of the cathode grid, a reflector grid radially inward of the reflector electrode, and an extractor electrode downstream of the reflector electrode. The cathode and the cathode grid have a voltage difference such that the electric field accelerates the primary electrons on a trajectory toward the extractor electrode. The reflector grid and the extractor electrode have a voltage difference such that the electric field repels the primary electrons on a trajectory away from the extractor electrode and toward the reflector electrode. The cathode and reflector electrode have a voltage difference such that some primary electrons strike the reflector electrode, creating secondary electrons. The reflector grid has a positive potential such that the electric field attracts the primary and secondary electrons into the ionization region where they interact with ionizable gas.
(FR)Cette invention concerne une source d'ions, comprenant une cathode émettant des électrons primaires, une grille de cathode en aval de la cathode, une électrode réfléchissante en aval de la grille de cathode, une grille réfléchissante disposée vers l'intérieur dans un sens radial par rapport à l'électrode réfléchissante, et une électrode d'extraction en aval de l'électrode réfléchissante. La cathode et la grille de cathode présentent une différence de tension telle que le champ électrique accélère les électrons primaires sur une trajectoire vers l'électrode d'extraction. La grille réfléchissante et l'électrode d'extraction présentent une différence de tension telle que le champ électrique repousse les électrons primaires sur une trajectoire s'éloignant de l'électrode d'extraction et dirigée vers l'électrode réfléchissante. La cathode et l'électrode réfléchissante présentent une différence de tension telle qu'une partie des électrons primaires heurte l'électrode réfléchissante de manière à créer des électrons secondaires. La grille réfléchissante a un potentiel positif tel que le champ magnétique attire les électrons primaires et secondaires vers l'intérieur de la zone d'ionisation où ils entrent en interaction avec un gaz ionisable.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)