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1. (WO2014099321) FABRICATION DE RÉGIONS ÉMETTRICES DE CELLULES SOLAIRES AU MOYEN D'UN FILM RÉSISTANT À LA GRAVURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/099321    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/072418
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 27.11.2013
CIB :
H01L 31/04 (2014.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : SUNPOWER CORPORATION [US/US]; 77 Rio Robles San Jose, California 95134 (US)
Inventeurs : LOSCUTOFF, Paul; (US).
COUSINS, Peter J.; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, California 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
13/718,518 18.12.2012 US
Titre (EN) SOLAR CELL EMITTER REGION FABRICATION USING ETCH RESISTANT FILM
(FR) FABRICATION DE RÉGIONS ÉMETTRICES DE CELLULES SOLAIRES AU MOYEN D'UN FILM RÉSISTANT À LA GRAVURE
Abrégé : front page image
(EN)Methods of fabricating solar cell emitter regions using etch resistant films and the resulting solar cells are described. In an example, a method of fabricating an emitter region of a solar cell includes forming a plurality of regions of N-type doped silicon nano-particles on a first surface of a substrate of the solar cell. A P-type dopant-containing layer is formed on the plurality of regions of N-type doped silicon nano-particles and on the first surface of the substrate between the regions of N-type doped silicon nano-particles. A capping layer is formed on the P-type dopant-containing layer. An etch resistant layer is formed on the capping layer. A second surface of the substrate, opposite the first surface, is etched to texturize the second surface of the substrate. The etch resistant layer protects the capping layer and the P-type dopant-containing layer during the etching.
(FR)La présente invention concerne des procédés de fabrication de régions émettrices de cellules solaires au moyen de films résistant à la gravure et les cellules solaires résultantes. Selon un exemple, un procédé de fabrication d'une région émettrice d'une cellule solaire fait appel à la formation d'une pluralité de régions de nanoparticules de silicium dopé de type N sur une première surface d'un substrat de la cellule solaire. Une couche contenant un dopant de type P est formée sur la pluralité de régions de nanoparticules de silicium dopé de type N et sur la première surface du substrat entre les régions de nanoparticules de silicium dopé de type N. Une couche de recouvrement est formée sur la couche contenant un dopant de type P. Une couche résistant à la gravure est formée sur la couche de recouvrement. Une seconde surface du substrat, opposée à la première surface, est gravée afin de texturer la seconde surface du substrat. La couche résistant à la gravure protège la couche de recouvrement et la couche contenant un dopant de type P pendant la gravure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)