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1. (WO2014099308) CELLULE SOLAIRE DOTÉE D'UNE COUCHE DIÉLECTRIQUE D'OXYNITRURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/099308    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/072104
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 26.11.2013
CIB :
H01L 31/04 (2014.01)
Déposants : SUNPOWER CORPORATION [US/US]; 77 Rio Robles San Jose, California 95134 (US)
Inventeurs : SHEPHERD, Michael; (US).
SMITH, David D.; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester J.; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, California 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
13/720,417 19.12.2012 US
Titre (EN) SOLAR CELL WITH SILICON OXYNITRIDE DIELECTRIC LAYER
(FR) CELLULE SOLAIRE DOTÉE D'UNE COUCHE DIÉLECTRIQUE D'OXYNITRURE DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)Solar cells with silicon oxynitride dielectric layers and methods of forming silicon oxynitride dielectric layers for solar cell fabrication are described. For example, an emitter region of a solar cell includes a portion of a substrate having a back surface opposite a light receiving surface. A silicon oxynitride (SiOxNy, 0 < x, y) dielectric layer is disposed on the back surface of the portion of the substrate. A semiconductor layer is disposed on the silicon oxynitride dielectric layer.
(FR)La présente invention a trait à des cellules solaires dotées de couches diélectriques d'oxynitrure de silicium, et à des procédés de formation de couches diélectriques d'oxynitrure de silicium destinées à la fabrication de cellules solaires. Par exemple, une région émettrice d'une cellule solaire comprend une partie d'un substrat possédant une surface arrière opposée à une surface recevant la lumière. Une couche diélectrique d'oxynitrure de silicium (SiOxNy, 0 < x, y) est disposée sur la surface arrière de ladite partie du substrat. Une couche semi-conductrice est disposée sur la couche diélectrique d'oxynitrure de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)