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1. (WO2014099218) MIROIR DE COURANT À RÉSISTANCE DE SEMI-CONDUCTEUR SATURÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/099218    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/070717
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 19.11.2013
CIB :
G05F 3/16 (2006.01), G05F 3/26 (2006.01), H03F 3/193 (2006.01), H03K 19/094 (2006.01)
Déposants : RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, Massachusetts 02451-1449 (US)
Inventeurs : BETTENCOURT, John, P.; (US).
DECARO, Frank, J.; (US).
TREMBLAY, John, C.; (US)
Mandataire : MOFFORD, Donald, F.; Daly, Crowley, Mofford & Durkee, LLP 354A Turnpike St., Suite 301A Canton, Massachusetts 02021 (US)
Données relatives à la priorité :
13/719,619 19.12.2012 US
Titre (EN) CURRENT MIRROR WITH SATURATED SEMICONDUCTOR RESISTOR
(FR) MIROIR DE COURANT À RÉSISTANCE DE SEMI-CONDUCTEUR SATURÉE
Abrégé : front page image
(EN)A current mirror circuit having formed in a semiconductor: a pair of transistors arranged to produce an output current through an output one of the transistors proportional to a reference current fed to an input one of the pair of transistors; a resistor comprising a pair of spaced electrodes in ohmic contact with the semiconductor, one of such pair of electrodes of the resistor being coupled to the input one of the pair of transistors; and circuitry for producing a voltage across the pair of electrodes of the resistor, such circuitry placing the resistor into saturation producing current through a region in the semiconductor between the pair of spaced ohmic contacts, such produced current being fed to the input one of the transistors as the reference current for the current mirror.
(FR)La présente invention concerne un circuit à miroir de courant comportant, formés dans un semi-conducteur : une paire de transistors agencés de façon à produire un courant de sortie, par l'intermédiaire d'une sortie de l'un des transistors, proportionnel à un courant de référence injecté dans une entrée d'un transistor parmi la paire de transistors ; une résistance comprenant une paire d'électrodes espacées en contact ohmique avec le semi-conducteur, une électrode parmi cette paire d'électrodes de la résistance étant couplée à l'entrée d'un transistor parmi la paire de transistors ; et un ensemble de circuits destiné à produire une tension à travers la paire d'électrodes de la résistance, cet ensemble de circuits plaçant la résistance dans un état de saturation produisant un courant d'un côté à l'autre d'une région du semi-conducteur entre la paire de contacts ohmiques espacés, ledit courant produit étant injecté dans l'entrée de l'un des transistors en tant que courant de référence pour le miroir de courant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)