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1. (WO2014099128) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE GRAVURE DE PLUSIEURS COUCHES SUR UNE PIÈCE COMPRENANT UNE COUCHE INFÉRIEURE CONTENANT UN MATÉRIAU À MÉMOIRE AVANCÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/099128    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/066336
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 23.10.2013
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : NEMANI, Srinivas, D.; (US).
LING, Mang-Mang; (US).
PENDER, Jeremiah, T.; (US).
RAMASWAMY, Kartik; (US).
NGUYEN, Andrew; (US).
BELOSTOTSKIY, Sergey, G.; (US).
AGARWAL, Sumit; (US)
Mandataire : WALLACE, Robert, M.; Law Office of Robert M. Wallace 2112 Eastman Avenue, Suite 102 Ventura, California 93003 (US)
Données relatives à la priorité :
13/786,850 06.03.2013 US
61/739,310 19.12.2012 US
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM FOR ETCHING PLURAL LAYERS ON A WORKPIECE INCLUDING A LOWER LAYER CONTAINING AN ADVANCED MEMORY MATERIAL
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE GRAVURE DE PLUSIEURS COUCHES SUR UNE PIÈCE COMPRENANT UNE COUCHE INFÉRIEURE CONTENANT UN MATÉRIAU À MÉMOIRE AVANCÉE
Abrégé : front page image
(EN)Etching of a thin film stack including a lower thin film layer containing an advanced memory material is carried out in an inductively coupled plasma reactor having a dielectric RF window without exposing the lower thin film layer, and then the etch process is completed in a toroidal source plasma reactor.
(FR)L'invention concerne la gravure d'un empilement de films minces comprenant une couche inférieure en film mince contenant un matériau à mémoire avancée, ladite gravure étant réalisée dans un réacteur à plasma à couplage inductif doté d'une fenêtre RF diélectrique, sans exposer la couche inférieure en film mince, le processus de gravure étant ensuite achevé dans un réacteur à plasma à source toroïdale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)