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1. (WO2014099123) STRUCTURE DE DÉGAZEUR POUR DISPOSITIF CONDITIONNÉ SOUS VIDE AU NIVEAU DE LA TRANCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/099123    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/065883
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 21.10.2013
CIB :
G01J 5/02 (2006.01), G01J 5/04 (2006.01), H01L 23/26 (2006.01), G01J 5/08 (2006.01), B81B 7/00 (2006.01)
Déposants : RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, Massachusetts 02451-1449 (US)
Inventeurs : GOOCH, Roland; (US).
KENNEDY, Adam, M.; (US).
BLACK, Stephen, H.; (US).
KOCIAN, Thomas, Allan; (US).
DIEP, Buu; (US)
Mandataire : MOFFORD, Donald, F.; Daly, Crowley, Mofford & Durkee, LLP 354A Turnpike St., Suite 301A Canton, Massachusetts 02021 (US)
Données relatives à la priorité :
13/721,545 20.12.2012 US
Titre (EN) GETTER STRUCTURE FOR WAFER LEVEL VACUUM PACKAGED DEVICE
(FR) STRUCTURE DE DÉGAZEUR POUR DISPOSITIF CONDITIONNÉ SOUS VIDE AU NIVEAU DE LA TRANCHE
Abrégé : front page image
(EN)A wafer level vacuum packaged (WLVP) device having a first substrate having an array of detectors and a second substrate bonded to the first substrate having a plurality of protrusions and a plurality of getter material members projecting outwardly from a sidewall of the protrusions members are disposed at oblique angles to the sidewalls and have ends extending into gaps between the protrusions. The device is formed by: forming protrusions into a surface of a substrate; and depositing getter material by physical vapor deposition from an evaporating source of the getter material at an oblique angle to the sidewalls, atoms of the getter material initially forming nucleation sites on the sidewalls with subsequent atoms attaching to the nucleation sites and shadowing area surrounding each nucleation site, the getter material thereby growing into structures towards the evaporating source.
(FR)La présente invention concerne un dispositif conditionné sous vide au niveau de la tranche (WLVP), le dispositif comprenant un premier substrat doté d'un réseau de détecteurs et un second substrat, collé sur le premier substrat, pourvu d'une pluralité de saillies et une pluralité d'éléments à base d'un matériau sorbeur se projetant vers l'extérieur à partir d'une paroi latérale des éléments en saillie est disposée à des angles obliques par rapport aux parois latérales et présente des extrémités se prolongeant dans des intervalles entre les saillies. Le dispositif est formé par : la formation de saillies dans une surface d'un substrat ; et le dépôt d'un matériau sorbeur par dépôt physique en phase vapeur à partir d'une source d'évaporation du matériau sorbeur à un angle oblique par rapport aux parois latérales, des atomes du matériau sorbeur formant initialement des sites de nucléation sur les parois latérales et les atomes suivants se fixant sur les sites de nucléation et la zone d'occultation entourant chaque site de nucléation, le matériau sorbeur formant ainsi des structures orientées vers la source d'évaporation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)