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1. (WO2014099017) FILM HÉTÉRO-ÉPITAXIAL À INÉGALITÉ DES PARAMÈTRES DE MAILLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/099017    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/048115
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 27.06.2013
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : CHU-KUNG, Benjamin; (US).
LE, Van H.; (US).
CHAU, Robert S.; (US).
DASGUPTA, Sansaptak; (US).
DEWEY, Gilbert; (US).
GOEL, Niti; (US).
KAVALIEROS, Jack T.; (US).
METZ, Matthew V.; (US).
MUKHERJEE, Niloy; (US).
PILLARISETTY, Ravi; (US).
RACHMADY, Willy; (US).
RADOSAVLJEVIC, Marko; (US).
THEN, Han Wui; (US).
ZELICK, Nancy M.; (US)
Mandataire : RICHARDS, II, E.E. "Jack"; Trop, Pruner & Hu, P.C. 1616 S. Voss Rd., Ste. 750 Houston, Texas 77057-2631 (US)
Données relatives à la priorité :
13/723,563 21.12.2012 US
Titre (EN) LATTICE MISMATCHED HETERO-EPITAXIAL FILM
(FR) FILM HÉTÉRO-ÉPITAXIAL À INÉGALITÉ DES PARAMÈTRES DE MAILLE
Abrégé : front page image
(EN)An embodiment concerns forming an EPI film on a substrate where the EPI film has a different lattice constant from the substrate. The EPI film and substrate may include different materials to collectively form a hetero-epitaxial device having, for example, a Si and/or SiGe substrate and a III-V or IV film. The EPI film may be one of multiple EPI layers or films and the films may include different materials from one another and may directly contact one another. Further, the multiple EPI layers may be doped differently from another in terms of doping concentration and/or doping polarity. One embodiment includes creating a horizontally oriented hetero-epitaxial structure. Another embodiment includes a vertically oriented hetero-epitaxial structure. The hetero-epitaxial structures may include, for example, a bipolar junction transistor, heterojunction bipolar transistor, thyristor, and tunneling field effect transistor among others. Other embodiments are described herein.
(FR)Un mode de réalisation de la présente invention comprend une étape consistant à former film épitaxial sur un substrat, le film épitaxial étant doté d'une constante de réseau cristallin différente de celle du substrat. Le film épitaxial et le substrat peuvent comprendre différents matériaux de manière à former collectivement un dispositif hétéro-épitaxial qui est doté, par exemple, d'un substrat de Si et/ou SiGe et d'un film de groupe III-V ou IV. Le film épitaxial peut être un élément parmi de multiples couches ou films épitaxiaux et les films peuvent comprendre différents matériaux les uns par rapport aux autres et peuvent entrer en contact directement les uns avec les autres. D'autre part, les multiples couches épitaxiales peuvent être dopées différemment les unes des autres en termes de concentration de dopage et/ou de polarité de dopage. Un mode de réalisation de la présente invention comprend une étape consistant à créer une structure hétéro-épitaxiale orientée de façon horizontale. Un autre mode de réalisation comprend une structure hétéro-épitaxiale orientée de façon verticale. Les structures hétéro-épitaxiales peuvent comprendre, par exemple, un transistor bipolaire à jonction, un transistor bipolaire à hétérojonction, un thyristor, et un transistor à effet tunnel entre autres. D'autres modes de réalisation sont également décrits dans les présentes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)