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1. (WO2014099000) DISPOSITIF DE MÉMOIRE DE COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN (STTM) À CHAMP ÉLECTRIQUE AMÉLIORÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/099000    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/047395
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 24.06.2013
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard MS: RNB-4-150 Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : DOYLE, Brian S.; (US).
KUO, Charles C.; (US).
KENCKE, David L.; (US).
GOLIZADEH MOJARAD, Roksana; (US).
SHAH, Uday; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester J.; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, California 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
13/725,235 21.12.2012 US
Titre (EN) ELECTRIC FIELD ENHANCED SPIN TRANSFER TORQUE MEMORY (STTM) DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE DE COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN (STTM) À CHAMP ÉLECTRIQUE AMÉLIORÉ
Abrégé : front page image
(EN)Spin transfer torque memory (STTM) devices incorporating a field plate for application of an electric field to reduce a critical current required for transfer torque induced magnetization switching. Embodiments utilize not only current-induced magnetic filed or spin transfer torque, but also electric field induced manipulation of magnetic dipole orientation to set states in a magnetic device element (e.g., to write to a memory element). An electric field generated by a voltage differential between an MTJ electrode and the field plate applies an electric field to a free magnetic layer of a magnetic tunneling junction (MTJ) to modulate one or more magnetic properties over at least a portion of the free magnetic layer.
(FR)La présente invention a trait à des dispositifs de mémoire de couple de transfert de spin (STTM) qui incorporent une plaque de champ en vue de l'application d'un champ électrique pour réduire un courant critique requis pour la commutation de magnétisation induite par le couple de transfert. Des modes de réalisation de la présente invention utilisent non seulement le champ magnétique induit par le courant ou le couple de transfert de spin, mais aussi la manipulation induite par le champ électrique de l'orientation dipôle magnétique afin de définir des états dans un élément de dispositif magnétique (par exemple, pour écrire sur un élément de mémoire). Un champ électrique qui est généré par un différentiel de tension entre une électrode MTJ et la plaque de champ applique un champ électrique sur une couche magnétique libre d'une jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) en vue de moduler une ou plusieurs propriétés magnétiques sur au moins une partie de la couche magnétique libre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)