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1. (WO2014098982) RÉALISATION DE RÉGIONS ÉMETTRICES DE CELLULES SOLAIRES À L'AIDE DE NANOPARTICULES DE SILICIUM DOPÉ DE TYPE N
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/098982    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/046435
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 18.06.2013
CIB :
H01L 31/04 (2014.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : SUNPOWER CORPORATION [US/US]; 77 Rio Robles San Jose, California 95134 (US)
Inventeurs : LOSCUTOFF, Paul; (US).
COUSINS, Peter J.; (US).
MOLESA, Steven Edward; (US).
WALDHAUER, Ann; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, California 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
13/718,503 18.12.2012 US
Titre (EN) SOLAR CELL EMITTER REGION FABRICATION USING N-TYPE DOPED SILICON NANO-PARTICLES
(FR) RÉALISATION DE RÉGIONS ÉMETTRICES DE CELLULES SOLAIRES À L'AIDE DE NANOPARTICULES DE SILICIUM DOPÉ DE TYPE N
Abrégé : front page image
(EN)Methods of fabricating solar cell emitter regions using N-type doped silicon nano-particles and the resulting solar cells are described. In an example, a method of fabricating an emitter region of a solar cell includes forming a plurality of regions of N-type doped silicon nano-particles on a first surface of a substrate of the solar cell. A P-type dopant-containing layer is formed on the plurality of regions of N-type doped silicon nano-particles and on the first surface of the substrate between the regions of N-type doped silicon nano-particles. At least a portion of the P-type dopant-containing layer is mixed with at least a portion of each of the plurality of regions of N-type doped silicon nano-particles.
(FR)L'invention concerne des procédés de réalisation de régions émettrices de cellules solaires à l'aide de nanoparticules de silicium dopé de type n, ainsi que les cellules solaires qui en résultent. Dans un exemple, un procédé de réalisation d'une région émettrice de cellule solaire comprend l'étape consistant à former une pluralité de régions de nanoparticules de silicium dopé de type n sur une première surface d'un substrat de la cellule solaire. Une couche contenant un dopant de type p est formée sur la pluralité de régions de nanoparticules de silicium dopé de type n et sur la première surface du substrat entre les régions de nanoparticules de silicium dopé de type n. Au moins une partie de la couche contenant un dopant de type p est mélangée avec au moins une partie de chaque région de la pluralité de régions de nanoparticules de silicium dopé de type n.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)