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1. (WO2014098980) DISPOSITIF DE MÉMOIRE DE COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN PERPENDICULAIRE (STTM) DOTÉ DE CELLULES DÉCALÉES ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/098980    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/046197
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 17.06.2013
CIB :
H01L 27/10 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard M/S: RNB-4-150 Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : DOYLE, Brian S.; (US).
KENCKE, David L.; (US).
KUO, Charles C.; (US).
SHAH, Uday; (US).
OGUZ, Kaan; (IE).
DOCZY, Mark L.; (US).
SURI, Satyarth; (US).
WEBB, Clair; (US)
Mandataire : MALLIE, Michael J.; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, California 94085-4040 (US)
Données relatives à la priorité :
13/723,866 21.12.2012 US
Titre (EN) PERPENDICULAR SPIN TRANSFER TORQUE MEMORY (STTM) DEVICE HAVING OFFSET CELLS AND METHOD TO FORM SAME
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE DE COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN PERPENDICULAIRE (STTM) DOTÉ DE CELLULES DÉCALÉES ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
Abrégé : front page image
(EN)Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) devices having offset cells and methods of fabricating perpendicular STTM devices having offset cells are described. For example, a spin torque transfer memory (STTM) array includes a first load line disposed above a substrate and having only a first STTM device. The STTM array also includes a second load line disposed above the substrate, adjacent the first load line, and having only a second STTM device, the second STTM device non-co-planar with the first STTM device.
(FR)La présente invention a trait à des dispositifs de mémoire de couple de transfert de spin perpendiculaire (STTM) dotés de cellules décalées et à des procédés de fabrication de dispositifs STTM perpendiculaire dotés de cellules décalées. Par exemple, un réseau de mémoires de transfert de couple de spin (STTM) comprend une première ligne de charge qui est disposée au-dessus d'un substrat et qui est dotée uniquement d'un premier dispositif STTM. Le réseau STTM comprend aussi une seconde ligne de charge qui est disposée au-dessus du substrat, adjacente à la première ligne de charge, et qui est dotée uniquement d'un second dispositif STTM, le second dispositif STTM n'étant pas coplanaire avec le premier dispositif STTM.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)