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1. (WO2014098392) COMPOSITION DE SOLUTION DE GRAVURE DE FILM MÉTALLIQUE ET PROCÉDÉ DE GRAVURE L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/098392    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/011158
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 04.12.2013
CIB :
C23F 1/18 (2006.01), C23F 1/30 (2006.01)
Déposants : DONGJIN SEMICHEM CO., LTD. [KR/KR]; 644, Baekbeom-ro, Seo-gu, Incheon 404-817 (KR)
Inventeurs : LEE, Myung-Han; (KR).
KU, Byung-Soo; (KR).
CHO, Sam-Young; (KR).
LEE, Ki-Beom; (KR)
Mandataire : SHINWOO PATENT & LAW FIRM; 2nd Fl., 15-4, Teheran-ro 25-gil, Gangnam-gu, Seoul 135-910 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0148232 18.12.2012 KR
Titre (EN) METAL-FILM ETCHING-SOLUTION COMPOSITION AND ETCHING METHOD USING SAME
(FR) COMPOSITION DE SOLUTION DE GRAVURE DE FILM MÉTALLIQUE ET PROCÉDÉ DE GRAVURE L'UTILISANT
(KO) 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법
Abrégé : front page image
(EN)Provided are: an etching-solution composition whereby it is possible to simultaneously etch a double film of a copper film and an indium tin oxide film or a double film of a copper film and a metal film; and an etching method using same. The etching-solution composition comprises between 5 and 20 wt.% of hydrogen peroxide, between 0.1 and 5 wt.% of a sulphonic acid compound, between 0.1 and 2 wt.% of a carbonyl based organic acid compound, between 0.1 and 0.4 wt.% of a fluorine compound, between 0.01 and 3 wt.% of an azole based compound, and a remainder of water.
(FR)L'invention concerne une composition de solution de gravure qui permet de graver simultanément un double film constitué d'un film de cuivre et d'un film d'oxyde d'étain et d'indium ou un double film constitué d'un film de cuivre et d'un film métallique ; et un procédé de gravure l'utilisant. La composition de solution de gravure comprend entre 5 et 20 % en poids de peroxyde d'hydrogène, entre 0,1 et 5 % en poids d'un composé d'acide sulfonique, entre 0,1 et 2 % en poids d'un composé d'acide organique à base de carbonyle, entre 0,1 et 0,4 % en poids d'un composé du fluor, entre 0,01 et 3 % en poids d'un composé à base d'azole, le reste étant de l'eau.
(KO)구리막 및 인듐틴산화막의 이중막 또는 구리막 및 금속막의 이중막을 동시에 식각할 수 있는 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법이 개시된다. 상기 식각액 조성물은, 5 내지 20 중량%의 과산화수소, 0.1 내지 5 중량%의 술폰산 화합물, 0.1 내지 2 중량%의 카보닐계 유기산 화합물, 0.1 내지 0.4 중량%의 불소 화합물, 0.01 내지 3 중량%의 아졸계 화합물, 및 나머지 물을 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)