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1. (WO2014098321) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/098321    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/002291
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 20.03.2013
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : LG SILTRON INC. [KR/KR]; 53 Imsu-ro Gumi-si Gyeongsangbuk-do 730-350 (KR).
EUM, Jung-Hyun [KR/KR]; (KR).
CHOI, Kwang-Yong [KR/KR]; (KR).
SONG, Jae-Ho [KR/KR]; (KR).
LEE, Dong-Kun [KR/KR]; (KR).
LEE, Kye-Jin [KR/KR]; (KR).
CHOI, Young-Jae [KR/KR]; (KR)
Inventeurs : EUM, Jung-Hyun; (KR).
CHOI, Kwang-Yong; (KR).
SONG, Jae-Ho; (KR).
LEE, Dong-Kun; (KR).
LEE, Kye-Jin; (KR).
CHOI, Young-Jae; (KR)
Mandataire : SEO, Kyo Jun; 9th Fl., Hyun Juk Bldg. 832-41 Yeoksam-dong Gangnam-gu Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0148906 18.12.2012 KR
10-2012-0148907 18.12.2012 KR
10-2012-0148908 18.12.2012 KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 반도체 기판 및 그 제조 방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a semiconductor substrate comprising: a substrate for growth; one, two or more compound semiconductor layers arranged on the substrate for growth; and one, two or more control layers interposed between the compound semiconductor layers, wherein the control layers include multiple nitride semiconductor layers comprising at least Al.
(FR)La présente invention a trait à un substrat semi-conducteur qui comprend : un substrat qui est destiné à la croissance ; une ou plusieurs couches semi-conductrices composées qui sont agencées sur le substrat qui est destiné à la croissance ; et une ou plusieurs couches de commande qui sont intercalées entre les couches semi-conductrices composées, lesquelles couches de commande comprennent de multiples couches semi-conductrices de nitrure comprenant au moins Al.
(KO)반도체 기판은, 성장 기판; 상기 성장 기판 상에 배치된 하나 또는 둘 이상의 화합물 반도체층; 및 상기 화합물 반도체층 사이에 배치된 하나 또는 둘 이상의 제어층을 포함하고, 상기 제어층은 적어도 Al을 포함하는 다수의 질화물 반도체층을 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)