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1. (WO2014098261) SUBSTRAT EN GERME CRISTALLIN, SUBSTRAT COMPOSITE ET ÉLÉMENT FONCTIONNEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/098261    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/085027
Date de publication : 26.06.2014 Date de dépôt international : 19.12.2013
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C30B 19/12 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP)
Inventeurs : HIGASHIHARA, Shuuhei; (JP).
IWAI, Makoto; (JP)
Mandataire : HOSODA, Masutoshi; Jowa Takanawa BLDG. 7F 5-4, Takanawa 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1080074 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-278103 20.12.2012 JP
Titre (EN) SEED CRYSTAL SUBSTRATE, COMPOSITE SUBSTRATE AND FUNCTION ELEMENT
(FR) SUBSTRAT EN GERME CRISTALLIN, SUBSTRAT COMPOSITE ET ÉLÉMENT FONCTIONNEL
(JA) 種結晶基板、複合基板および機能素子
Abrégé : front page image
(EN)A seed crystal substrate (8) comprises a substrate (1) and a plurality of rows of belt-shaped seed crystal layers (3) which are formed on the substrate (1). An upper face (3a) of the seed crystal layers (3) is a (11-22) face, a groove (4) is formed between adjacent seed crystal layers (3) and the longitudinal direction of the groove (4) is the direction in which the c-axis of the crystal that composes the seed crystal layers is projected on the upper face. A group 13 element nitride is provided on the seed crystal substrate.
(FR)La présente invention concerne un substrat en germe cristallin (8) qui comprend un substrat (1) et une pluralité de rangées de couches de germes cristallins en forme de ceinture (3) qui sont formées sur le substrat (1). Une face supérieure (3a) des couches de germe cristallin (3) est une face (11-22), une rainure (4) est formée entre des couches de germe cristallin (3) adjacentes, et la direction longitudinale de la rainure (4) est la direction dans laquelle l'axe c du cristal qui compose les couches de germe cristallin se projette sur la face supérieure. Un nitrure du groupe 13 est prévu sur le substrat en germe cristallin.
(JA)種結晶基板8は、基体1、および基体1上に形成された複数列の帯状種結晶層3を備える。種結晶層3の上面3aが(11-22)面であり、隣り合う種結晶層3の間に溝4が形成されており、溝4の長手方向が種結晶層を構成する結晶のc軸を上面に投影した方向である。種結晶基板上に13族元素窒化物を設ける。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)